微柱阵列的制备方法、阵列结构及生长晶体材料的方法技术

本发明专利技术是有关于一种微柱阵列的制备方法、阵列结构及生长晶体材料的方法。所述微柱阵列的制备方法包括如下步骤：提供第一晶体层；将第一晶体层置于选择性腐蚀的环境中，所采用的选择腐蚀工艺优先腐蚀与第一晶体层的表面呈一角度的晶面，所述角度大于0度且小于90度，从而在第一晶体层表面的缺陷处形成凹陷；保持对第一晶体层的表面实施选择性腐蚀，使凹陷扩大，显露出无位错部分，形成由第一晶体层的无位错部分构成的微柱阵列。本发明专利技术的优点在于，通过选择性腐蚀工艺形成了由无位错区域构成的微柱阵列作为横向外延的窗口区，从而降低保留下来的窗口区的位错密度，从而使ELOG工艺充分发挥其降低位错密度的优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件与工艺
，尤其涉及一种。
技术介绍
以GaN为代表的化合物半导体材料作为直接带隙的宽禁带半导体材料，在蓝、绿、 紫、紫外及白光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、紫外光探测器和功率电子器件等光电子器件和电子器件以及特殊条件下的半导体器件等领域中有广泛的应用前景，吸引着人们的浓厚兴趣。由于目前对于绝大多数的化合物半导体而言，还不能得到商用高质量大块的衬底材料，因此化合物半导体材料一般采用异质衬底外延生长。但是，由于半导体材料和通常用作衬底的蓝宝石(或者Si)衬底之间有较大的晶格失配，导致外延层产生位错，这种位错会扩展并穿过整个外延层，限制了后续器件性能的提高。为改善半导体材料的质量，现已发展起来多种提高外延材料质量的改进方法，如低温缓冲层技术、插入层技术、侧向外延技术 (ELOG)等。侧向外延技术(ELOG)就是为了减少外延半导体材料的位错密度而发展出来的方法之一。以GaN生长为例，ELOG方法首先在衬底上沉积一层几微米的GaN薄膜，然后刻出所需图形，使GaN露出形成窗口区而进行二次生长。半导体薄膜只在刻出的窗口区生长，而不再掩模区生长。ELOG可本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种微柱阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一晶体层；将第一晶体层置于选择性腐蚀的环境中，所采用的选择腐蚀工艺优先腐蚀与第一晶体层的表面呈一角度的晶面，所述角度大于０度且小于９０度，从而在第一晶体层表面的缺陷处形成凹陷；保持对第一晶体层的表面实施选择性腐蚀，使凹陷扩大，显露出无位错部分，形成由第一晶体层的无位错部分构成的微柱阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建奇，王建峰，任国强，弓晓晶，徐科，
申请(专利权)人：苏州纳维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32