The invention provides a method for manufacturing a semiconductor device. Since a circular shape is generated at an angle of an active region pattern, the gate pattern area disposed on the active pattern varies, resulting in a change in the transistor characteristics. A method of manufacturing a semiconductor device in the invention, in the same layer includes forming a wide corner and 2 adjacent edge patterns and periodic pattern of intensive configuration, comprises the steps of: (a) with a first mask pattern on the first mask pattern on the first, first interval segmentation pattern corresponding to include the segmentation of the first sides of the 2 side pattern and the interval of the periodic pattern of regional exposure; (b) with a second mask pattern on the second mask pattern on the second, second interval segmentation pattern corresponding to the pattern of the 2 edge segmentation contains second edges and the interval of periodic pattern area exposure.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
平板印刷技术中的微细化正在向曝光波长短波化、及增大曝光装置的成像光学系统的孔径(NA值)的方向发展。具体地，将曝光波长短波化为I线(波长365nm)、KrF受激准分子激光(波长M8nm)和ArF受激准分子激光(波长193nm)。另外，NA值也逐渐变大， 成为0. 9左右的值，通过进一步在投影透镜和基板之间灌满水进行液浸化，能够实现1以上的NA值。与此相对，在尖端领域装置中半导体器件所使用的最小间距图案尺寸也形成 hp (半间距)65nm — hp45nm — hp32nm的越来越微细化的发展线路。在此，作为转印hp32nm 图案的量产工具重点考虑EUV曝光、ArF液浸曝光这2种。不过，从器件开发日程的角度考虑，发现EUV曝光直到量产开始时期之前，对应于量产的装置赶不上器件开发的日程，因此正研究延长ArF液浸曝光的使用期来进行应用。但是，考虑到使用水(折射率1.43)作为液浸液的最大NA值的界限为1. 3 1. 35，此NA值的可转印的最小间距理论界限值为KlX 波长/NA = 0. 25X 193/1. 35 = 35. 7，不...
【技术保护点】
１．一种半导体器件的制造方法，其特征在于：上述半导体器件在同一层中包含：邻接间隔为第一间隔的非密集配置的孤立图案，和邻接间隔比上述第一间隔狭小的密集配置的周期性图案；上述孤立图案包含形成小于１８０度的外角的拐角部并邻接的第１、第２边；该半导体器件的制造方法包括下述工序：（ａ）通过使用具有第１掩模图案的第１掩模，对对应于包含分割上述孤立图案的上述第１边的第１分割图案和间隔上述周期性图案的第１间隔图案的区域进行曝光；（ｂ）通过使用具有第２掩模图案的第２掩模，对对应于包含分割上述孤立图案的上述第２边的第２分割图案和间隔上述周期性图案的第２间隔图案的区域进行曝光，上述第１掩模图案和...
【技术特征摘要】
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