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本发明是有关于一种微柱阵列的制备方法、阵列结构及生长晶体材料的方法。所述微柱阵列的制备方法包括如下步骤：提供第一晶体层；将第一晶体层置于选择性腐蚀的环境中，所采用的选择腐蚀工艺优先腐蚀与第一晶体层的表面呈一角度的晶面，所述角度大于0度且小于...
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