本发明涉及一种氮化镓外延层的生长方法以及氮化镓外延层。氮化镓外延层的生长方法包括：提供一氮化镓衬底；对氮化镓衬底进行加热，使得氮化镓衬底表面的至少部分被分解形成若干氮化镓柱体；以氮化镓柱体为种子层在氮化镓衬底上生长氮化镓外延层。利用氮化...

本发明涉及一种氮化镓基板的外延生长方法、基板托盘以及生长设备。该方法在氮化镓基板的镓面采用第一生长工艺生长第一氮化镓层，在氮化镓基板的氮面采用第二生长工艺生长第二氮化镓层；而且，通过控制第一生长工艺的生长条件，使得镓面的生长速度不小于高...

本发明提供了一种光导半导体器件及制造方法，该光导半导体开关器件，包括：光导开关，形成于光导开关表面的光源；光源包括依次外延生长并形成于光导开关表面的n型GaN层，第一DBR层，有源区，第二DBR层以及P型GaN层，n型GaN层表面形成N...

本申请提供一种腐蚀装置，包括：腐蚀锅，所述腐蚀锅用于盛放腐蚀液；花篮组件，所述花篮组件包括支架和至少一个花篮，每个所述花篮均与所述支架连接，每个所述花篮用于盛放样品，以使所述样品浸泡于所述腐蚀液中；加热组件，所述加热组件用于加热所述腐蚀...

本实用新型提供了一种压力表真空连接头结构，包括：真空接头和压力表接头，真空接头一端穿设于压力表接头内并可拆卸连接垫片，压力表接头相对于真空接头滑移配合；压力表接头内壁形成用于可拆卸连接压力表的连接段，在压力表安装于连接段内的状态下，垫片...

本申请提供了吸附膜、晶圆检测系统和晶圆检测方法，所述吸附膜设置有一个或多个通孔；所述吸附膜用于设置于载物台上，以在所述吸附膜上设置所述晶圆；其中，所述载物台用于制造负压环境，以通过部分或全部通孔吸附所述晶圆。本申请在载物台上设置具有通孔...

本申请提供晶圆的承载方法、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品，所述方法包括：获取所述晶圆的形貌信息；根据所述形貌信息，获取晶圆检测设备上的载物台所需的载物信息，所述载物信息包括以下至少一种：载物台尺寸、真空环的数量、真空环在所...

本申请提供了氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质。氮化镓单晶的腐蚀方法包括：获取氮化镓单晶的初始状态信息，初始状态信息包括氮化镓单晶的厚度信息；基于预设的第一参数信息，将放置于容器内的氮化镓单晶进行初次腐蚀，第一参数信息包括第一浸泡...

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种外延工艺用托盘，能够改善外延边缘过度生长的问题。所述托盘包括托盘本体和侧壁，所述托盘本体用于承托衬底，侧壁包括凸出设置于朝向所述衬底一侧表面的凸块，所述凸块的比热容低于所述托盘本体的比热容。上述技...

本发明公开了一种半导体晶体材料的生长装置及其生长方法，该装置和生长方法能够对晶体生长过程中或生长结束之后的降温过程中产生的裂纹进行检测；装置可以使用传统的HVPE法的高温反应炉，对传统的高温反应炉的石英托盘下方通过双层连杆连接，在双层连...

本实用新型公开了一种气相沉积设备的气体组件及气相沉积设备。本实用新型的气相沉积设备的气体组件包括：第一腔室、载气腔室和第二腔室。第一进气口设置于所述第一腔室顶部，且在第一腔室中设置筛子板，可有助于不易扩散的二族和/或三族源气体在第一腔室...

本发明提供了一种III

本发明公开了一种氢化物气相外延法生长III

本发明所要解决的技术问题是，提供一种外延工艺用托盘，能够改善外延边缘过度生长的问题。所述托盘包括托盘本体和侧壁，所述托盘本体用于承托衬底，侧壁包括凸出设置于朝向所述衬底一侧表面的凸块，所述凸块的比热容低于所述托盘本体的比热容。上述技术方...

本实用新型提供了一种定位装置，用于校准磨头与晶片装载治具呈同心圆布置，该定位装置包括：轴向设置的上定位组件与下定位组件，以及连接上定位组件与下定位组件的连接件；上定位组件包括与磨头的侧壁部分贴合的上贴合面，下定位组件包括与晶片装载治具的...

本发明公开了一种自补给液镓的方法。本发明在反应腔体资源区内设置一液镓自补给装置，为镓舟提供稳定镓液流量。在液镓自补给装置中设计高温区、低温区以及介于两者之间的填充有惰性气体的中间区，通过高温区提供热量，惰性气体受热膨胀，由于气体膨胀后产...

本实用新型提供了一种共用金属源的HVPE装置，包括气源室和若干个生长室，气源室和生长室之间设置可加热的第一输运管道；气源室包括第一加热装置、进气管道、以及金属承载舟；生长室包括第二加热装置，用于承载衬底的可旋转支撑件，以及第二输运管道；...

本实用新型公开了一种氮化镓外延结构，其包括：氮化镓衬底、设置在氮化镓衬底上的氮化镓成核层、覆盖在氮化镓成核层上的致密氮化镓层以及设置在致密氮化镓层上的氮化镓外延层；其中，所述氮化镓衬底表面分布有多个凹陷部，多个所述凹陷部在氮化镓衬底表面...

本实用新型提供了一种用于晶片粘接的治具，包括：载台，活动配置于载台上的定位组件，定位组件包括定位块和顶出块，定位块内设置上下贯通的通道，顶出块设置于通道内且相对于定位块作上下运动，顶出块的上表面与定位块的内壁围合形成用于收容晶片的收容空...

本实用新型公开了一种用于承载方形半导体晶圆的承载盒，包括上盖和下盖，该上盖的边部和下盖的边部连为一体；所述上盖相对于所述下盖能够打开或关闭；所述下盖具有多个方形的晶圆容纳槽，且该晶圆容纳槽为下窄上宽的梯形结构；方形半导体晶圆放置于所述晶...