本发明提供一种氮化镓材料中Fe杂质浓度的测量方法，其包括如下步骤：S1、对待测量的氮化镓材料进行预处理；S2、测量经过预处理的氮化镓材料的透射光谱；S3、根据测量得到的透射光谱，拟合出氮化镓材料的吸收边位置；S4、根据Fe杂质浓度与吸收...

本发明提供一种氢化物气相外延用的浮舟及浮舟装置，其中，所述氢化物气相外延用的浮舟包括：舟体、连接于所述舟体上的进气管；所述舟体内部具有气体输送通道，该气体输送通道的进气口和出气口延伸至所述舟体的表面上，所述出气口为至少一个，所述进气管一...

本发明提供一种n型III族氮化物半导体材料及其制备方法，所述n型III族氮化物半导体材料掺杂有第一掺杂源X和第二掺杂源Y，第一掺杂源X和第二掺杂源Y选自第IV族和第VI族中的元素。本发明的n型III族氮化物半导体材料具有多施主共掺的多种...

本发明提供一种金属Ga高效利用装置及方法，所述金属Ga高效利用装置包括：生长设备、气液分离器；所述生长设备为利用金属Ga作为原材料的生长设备，其内部形成含Ga材料生长空间，所述气液分离器具有气液进口、气体出口以及液体Ga出口，所述气液分...

本申请公开了一种晶体参考面加工用X射线定向夹具，该晶体参考面加工用X射线定向夹具，包括：可控倾斜台，具有一支撑面，该支撑面相对水平面的倾斜角度可调；夹具底板，固定于所述支撑面上；夹具顶板，与所述夹具底板上下设置，该夹具顶板与夹具底板之间...

本发明提供了一种外延用图形化衬底，包括碳化硅层，所述碳化硅层的表面覆盖有图形化的石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜在与碳化硅层表面原子台阶所对应的位置具有窗口。本发明还提供了一种外延用图形化衬底的制作方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面...

本发明提供了一种III族氮化物衬底，所述衬底的III族元素面与氮面之间的阴极荧光谱的发光强度之差低于III族元素面发光强度的50％。本发明还提供了一种III族氮化物衬底的制备方法，包括如下步骤：提供一III族氮化物衬底；沿平行于所述衬底...

本申请公开了一种晶体参考面加工用X射线定向夹具和定向方法，该晶体参考面加工用X射线定向夹具，包括：可控倾斜台，具有一支撑面，该支撑面相对水平面的倾斜角度可调；夹具底板，固定于所述支撑面上；夹具顶板，与所述夹具底板上下设置，该夹具顶板与夹...

本发明提供了一种III族氮化物衬底，所述衬底的III族元素面与氮面之间的粗糙度均小于0.2nm。本发明还提供了一种III族氮化物衬底的制备方法，包括如下步骤：提供一外延生长形成的III族氮化物衬底；沿平行于所述衬底的外延生长面的方向切割...

本发明公开了一种低杂质浓度半绝缘GaN单晶及其制备方法与应用。所述半绝缘GaN单晶中掺杂有深受主杂质以及浅施主元素和/或浅受主元素，所述深受主杂质的掺杂浓度低于1e17cm-3，所述浅施主元素和/或浅受主元素的总掺杂浓度小于或等于深受主...

本实用新型提供了一种III族氮化物衬底。所提供的衬底的III族元素面至少存在一个横截面为V型的沟槽，所述沟槽的深度范围是0.3nm-50nm，宽度范围是10nm-500nm。本实用新型的优点在于，只去除晶格损伤而不特别在意是否去除划痕，...

本发明提供了一种III族氮化物衬底以及制备方法。所提供的衬底的III族元素面至少存在一个横截面为V型的沟槽，所述沟槽的深度范围是0.3nm-50nm，宽度范围是10nm-500nm。本发明的优点在于，只去除晶格损伤而不特别在意是否去除划...

本发明属于材料化学技术领域，尤其涉及一种Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板及其制备方法，该复合模板包括衬底层和外延层，所述外延层内存在纳米级的孔洞，所述外延层的材料为Ⅲ族氮化物，在纳米级孔洞层下方的Ⅲ族氮化物材料中含有Al元素，由于外延层中纳...

本发明涉及了一种III-V族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法，利用半导体材料在不同材料上的形核功不同，借助于简单的镀膜工艺和湿法刻蚀工艺，消除了半导体材料表面的孔洞，形成了表面平整、但保留晕状结构的III-V族半导体单晶...

本发明提供一种闸板阀，包括一闸板，还包括内壳和盖板，所述闸板包括水嘴、连杆和方板；所述方板两端分别固接一连杆，两根连杆另一端分别设有所述水嘴；所述方板上设有一通孔；所述方板与连杆为中空结构，且两者的中空结构相连通；所述闸板设置于内壳中，...

一种III族氮化物衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底的材料为铜；在支撑衬底表面形成石墨烯层；在石墨烯层表面形成III族氮化物半导体层，此步骤中III族氮化物半导体层的最高生长温度低于铜的熔点。本发明的优点在于，采用...

一种发光二极管的制备方法，包括如下步骤：提供表面为第一导电类型的第一半导体衬底；在半导体衬底表面形成纳米柱阵列层，所述纳米柱阵列层包括表面的具有第二导电类型的第二半导体层，以及位于第二半导体层下方靠近第一半导体衬底的有源层；在纳米柱阵列...

一种石墨烯的生长方法，包括如下步骤：提供III族氮化物衬底；将所述III族氮化物衬底置于平板加热器的中心区域；向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体；加热III族氮化物衬底；向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源，进行石墨烯的生...

本发明是有关于一种微柱阵列的制备方法、阵列结构及生长晶体材料的方法。所述微柱阵列的制备方法包括如下步骤：提供第一晶体层；将第一晶体层置于选择性腐蚀的环境中，所采用的选择腐蚀工艺优先腐蚀与第一晶体层的表面呈一角度的晶面，所述角度大于0度且...

一种金属－半导体电极结构，包括半导体层和金属电极，在半导体层和金属电极之间进一步设置一石墨烯层，以降低金属电极与半导体层之间的接触电阻。本发明的优点在于，通过在金属和半导体层之间插入石墨烯层，改善了金半接触的能带状态，可广泛适用于不同功...