【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件与工艺
，尤其涉及一种III族氮化物衬底的生长方法以及衬底。
技术介绍
氮化镓与氮化铟、氮化铝等III族氮化物及其三元合金，作为第三代半导体材料， 是近年来半导体材料领域的研究热点，同时也已大量应用于生产生活中的多个领域。III族氮化物及其合金都是直接带隙半导体，特别是三种组分组成的合金的通过调整其组分的比例可以将禁带宽度连续的控制在从1.9eV到6. 的范围内。此外，由III族氮化物及其合金制成的异质结结构，可形成高浓度、高迁移率的二维电子气，弥补了宽禁带半导体电子有效质量大、迁移率低的缺陷。目前，III族氮化物的主要应用领域包括蓝、绿光发光二极管、激光二极管，高频、高温电子器件，太阳能电池等。随着缓冲层技术与III族氮化物P型掺杂技术的成熟，III族氮化物材料的研究已取得了阶段性的成果。如InGaN等高亮度蓝、 绿光发光二极管目前已实现产业化。而日本的日亚公司(Nichia)和美国的Cree公司等著名生产商多年来也一直在从事氮化镓基发光二极管的生产和研究。石墨烯作为一种非常新颖的材料，可利用化学气相沉积，石墨氧化还原和机械解理等...
【技术保护点】
１．一种ＩＩＩ族氮化物衬底的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底的表面为第一ＩＩＩ族氮化物半导体层；在支撑衬底的第一ＩＩＩ族氮化物半导体层表面形成石墨烯层；在石墨烯层表面形成第二ＩＩＩ族氮化物半导体层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐耿钊，王建峰，刘争晖，任国强，蔡德敏，钟海舰，樊英民，徐科，
申请(专利权)人：苏州纳维科技有限公司，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：32
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