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一种III族氮化物衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底的材料为铜；在支撑衬底表面形成石墨烯层；在石墨烯层表面形成III族氮化物半导体层，此步骤中III族氮化物半导体层的最高生长温度低于铜的熔点。本发明的优点在于，采用既导...该专利属于苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。