一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明专利技术，可以调制外延层中因为晶格失配带来的应力，同时使GaN外延层中的位错转向、合并，从而降低后续生长的外延层中穿透位错的密度，改善材料质量，提高发光二极管的抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于氮化镓基发光二极管制备
，特别是。
技术介绍
当前基于氮化镓基发光二极管(LED)的半导体照明技术正在向社会生活的各个方面渗透，如景观照明，特种照明，以及液晶背光源照明等。但是由于三族氮化物固有的缺陷多，位错密度大，材料质量差等问题，造成了基于三族氮化物的半导体照明器件抗静电能力差，限制了其进一步进入高端应用市场。半导体照明要想进入通用照明，除了效率需要不断提高外，抗静电能力提高也是一个十分迫切的需求。目前针对GaN基LED抗静电能力差的问题，人们提出了很多的解决办法，比如在封装时加入齐纳二极管，操作时带静电环等，以及在材料结构中加入低掺杂的电流扩展层等。 但是，由于这些方法或是通过外在手段对LED芯片进行静电保护，减低静电伤害，同时也增加了 LED制作成本；或是通过电流扩展，而不是从根本上对晶体质量的提高，只在一定程度上改善LED抗静电能力，也存在着较严重的静电积累伤害，所以上述方法存在以下缺陷1，增加LED制作成本；2，抗静电能力尚待提高；3，存在较严重的静电积累伤害。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供，通过在非故意掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，其特征在于，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓／氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓／氮化镓超晶格插入层上生长Ｎ型掺杂的氮化镓层；在该Ｎ型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长Ｐ型掺杂的氮化铝镓铟层，该氮化铝镓铟层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟多层结构；以及在该Ｐ型掺杂的氮化铝镓铟层上生长Ｐ型掺杂的氮化镓层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李志聪，姚然，王兵，梁萌，李鸿渐，李盼盼，李璟，王国宏，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11