一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓基LED的外延粗化方法的流程图，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层，该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明专利技术，实现了P型掺杂的氮化铝镓铟层生长时的表面粗化，制备出的LED效率相对与传统结构提高了30％以上，且其电学性质优良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氮化镓基发光二极管制备
，尤其是。
技术介绍
发光二极管(LED)产业属于半导体相关的高科技产业，处于上游的外延与芯片制造是整个产业的关键，这不仅仅体现在上游外延与芯片的性能和价格决定了中下游产品的性能和价格，还体现在外延与芯片供应商往往控制着整个产业的专利及标准。LED外延与芯片的性能很大程度上决定了整个产品的性能。当前，随着效率的提高与产量的扩大，氮化镓(GaN)基发光二极管正在朝照明领域的各个方面渗透，但是在通用照明等需要超高亮度的领域，GaN基LED的市场份额还很小，GaN基LED进入该领域需要解决的一个重大问题就是降低单位Im的价格，即不断提高其单位价格的发光效率。表面粗化是提高GaN基LED发光效率的一个十分有效的方法，现有的氮化镓基 LED的外延粗化方法主要包括常规的量子阱发光区生长结束后，首先升温生长一段pGaN， 然后再降温，并调节压力、流量以及预通Mg杂质处理等方法，进而生长较厚的粗化层pGaN， 一般需要30分钟到1小时；此粗化工艺复杂，生长时间长，此类表面粗化方法表面颗粒大， 形貌难以控制，会造成后续器件制备时的电极接触问题，造成掉电极、本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法，其特征在于，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长Ｎ型掺杂的氮化镓层；在该Ｎ型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长Ｐ型掺杂的氮化铝镓铟层，该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构；以及在该Ｐ型掺杂的氮化铝镓铟层上生长Ｐ型掺杂的氮化镓层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李志聪，姚然，王兵，梁萌，李璟，王国宏，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11