白光LED芯片制作工艺及其产品制造技术

本发明专利技术适用于LED生产领域，提供了一种白光LED芯片制作工艺，包括如下步骤：步骤一，将基板切割成合适的尺寸，步骤二，制作出透明电极层；步骤三，制作出P电极和N电极；步骤四，采用激光切割出切割道；步骤五，在所述裸芯片上增设荧光粉硅胶层；步骤六，在所述荧光粉硅胶层上涂布光阻层；步骤七，除去所述P电极和N电极上的光阻层；步骤八，除去所述P电极和N电极上的荧光粉硅胶层；步骤九，除去所述荧光粉硅胶层上的光阻层。本发明专利技术提供的工艺，通过在芯片的表层直接涂布荧光粉，使其形成一荧光粉硅胶层，大大提高芯片的出光率，并可大大节省原有工序和工艺成本。本发明专利技术还提供了由上述工艺制作的一种白光LED芯片，其白光发光效率高，且发光均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化合物半导体LED生产
，更具体地说，是涉及一种白光LED芯片制作工艺及其产品。
技术介绍
传统的白光LED为采用GaN蓝光芯片在封装时用混有荧光粉的胶体包裹起来，通电发蓝光后激发荧光粉后转化黄光与未能被激发的蓝光混合成白光的方式发射出来。请参见图1，其结构包括P极1'，透明导电层2'，P-GaN层3'，LED发光层4'，N-GaN层 5'，N极6'和蓝宝石衬底(Sapphire) 7'，该芯片工艺为在蓝宝石(Sapphire)基板上采用MOCVD工艺生长GaN外延发光层后经芯片化学、黄光、蒸镀、蚀刻等工艺制作金属电极，再经研磨、抛光、切割等工艺制作成单颗的芯片。请参见图2，现有的一种白光LED封装的制作工艺为将单颗的芯片11'采用封装工艺将芯片11'固定到PCB板或金属支架上经打线工艺再经荧光粉22'点胶封胶工艺后制作成白光LED封装产品。该种工艺生产白光LED较为复杂，而且由于荧光粉胶体比较厚，不利于光的散发出光率也较低，同时，因为芯片11'表面荧光粉22'厚度不一，即芯片表面受激发荧光粉22'的量不一，一次和二次光学难以设计；再者，蓝光芯片11'激发荧光粉本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种白光ＬＥＤ芯片制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将依次层叠设有蓝宝石衬底、Ｎ－ＧａＮ层、ＬＥＤ发光层、Ｐ－ＧａＮ层的基板切割成合适的尺寸；步骤二，在切割后的基板上制作出透明电极层，并采用蚀刻法将Ｐ－ＧａＮ层露出，以便制作Ｎ电极；步骤三，在透明电极层上制作出Ｐ电极，在Ｎ－ＧａＮ层上制作出Ｎ电极；步骤四，采用激光切割出切割道，切割深度至基板的蓝宝石衬底；步骤五，在芯片上增设一可以将蓝光激发为白光的荧光粉硅胶层；步骤六，在所述荧光粉硅胶层上涂布光阻层；步骤七，通过显影、刻蚀工艺除去所述Ｐ电极和Ｎ电极上的光阻层；步骤八，除去所述Ｐ电极和Ｎ电极上的荧光粉硅胶层；步骤九，除去所述荧光粉硅...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：殷仕乐，
申请(专利权)人：深圳市瑞丰光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94