【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式，一般地涉及半导体发光装置的制造方法。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode :LED)等半导体发光元件，采用将含有发光层的半导体层从生长基板分离之后移换到别的基板的制造方法。例如，已知有通过将含有发光层的III族氮化物半导体层从生长基板分离之后设置到与生长基板不同的基板而能够提高生产性的III族氮化物半导体发光元件。然而，将半导体层移换到不同基板上时，由于为了使两个基板重叠接合而施加的负载，有时会产生基板的断裂或裂纹，成为制造成品率低下的主要原因。因此，需要一种能够防止基板的断裂或裂纹的制造方法。
技术实现思路
本专利技术的实施方式，提供能够抑制接合两个基板时发生断裂或裂纹，能够提高制造成品率的半导体元件的制造方法。实施方式中的，用于使具有第一基板、半导体层和第一金属层的第一层叠体与具有第二基板和第二金属层的第二层叠体贴合，包括将上述第一层叠体的劈开方向与上述第二层叠体的劈开方向错开，使上述第一金属层与上述第二金属层接触而重叠的工序，以及在对上述第一层叠体与上述第二层叠体之间施加负载的状态下进行升温，使上述第一层叠体...
【技术保护点】
１．一种半导体发光元件的制造方法，用于使具有第一基板、半导体层和第一金属层的第一层叠体与具有第二基板和第二金属层的第二层叠体贴合，其特征在于，包括：将上述第一层叠体的劈开方向与上述第二层叠体的劈开方向错开，使上述第一金属层与上述第二金属层接触而重叠的工序，以及在对上述第一层叠体与上述第二层叠体之间施加负载的状态下进行升温，使上述第一层叠体与上述第二层叠体贴合的工序。
【技术特征摘要】
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