【技术实现步骤摘要】
一种硅单晶生长炉
本技术涉及一种生产单晶硅的设备，具体涉及一种硅单晶生长炉。
技术介绍
硅单晶生长炉是生产单晶硅的设备，单晶硅在炉内生长过程中，需要从炉筒上方导入氩气，氩气是惰性气体，化学性质非常稳定，拉晶过程中用来保护融化的硅料不与空气中的氧、氮等物质起化学反应，另外，氩气从导流筒进入，将硅料与石英坩埚反应生成的一氧化硅蒸汽、杂质等有害气体带走，利于单晶硅稳定生长，最后，含有害气体的氩气从炉筒底部两侧的排气管道通过真空泵抽走。但是，现有的硅单晶生长炉，由于盖板的外圆与炉筒的内筒壁之间留有间隙，这样一来，就有部分氩气不经导流筒，而通过保温桶(由碳毡材料制成)本身具有的空隙直接从炉筒底部两侧的排气管道排走，造成部分氩气不能正常参与带走一氧化硅蒸汽、杂质等有害气体的工作，既不利于单晶硅稳定生长，又造成浪费。
技术实现思路
鉴于
技术介绍
存在的不足，本技术的目的旨在提供一种有利于氩气将硅料与石英坩埚反应生成的一氧化硅蒸汽、杂质等有害气体带走，利于单晶硅稳定生长的硅单晶生长炉。本技术是通过以下技术方案来实现的一种硅单晶生长炉，包括炉筒和设在炉筒内部的坩埚和导流筒，坩埚的...
【技术保护点】
１．一种硅单晶生长炉，包括炉筒和设在炉筒内部的坩埚和导流筒，坩埚的外侧设有保温桶，保温桶的外圆与炉筒的内筒壁接触，保温桶的上方放置有盖板，导流筒设于坩埚的上方并支在盖板上，其特征在于：所述盖板的上方放置有密封圈，密封圈贴紧在盖板的上表面，密封圈的外圆与所述炉筒的内筒壁贴紧形成密封。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡光进，韩喆，李国迪，蒋明霞，
申请(专利权)人：浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33
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