发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光器件及其制造方法，其包括以下步骤：在衬底上形成化合物半导体层，该衬底包括芯片区域和隔离区域；选择性地蚀刻该化合物半导体层，以在芯片区域上形成发光结构并在隔离区域上形成缓冲结构；在发光结构和缓冲结构上形成导电支撑构件；通过使用激光剥离工艺来移除所述衬底；以及对导电支撑构件进行分割，以形成芯片区域的多个芯片，其中，所述缓冲结构与发光结构间隔开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯或辉光灯的传统光源相比，LED在功耗、寿命、响应速度、安全性、以及环保要求方面是有利的。在此方面，已经进行了各种研究来用LED代替传统光源。LED正日益用作诸如各种灯、液晶显示器、电子标识牌、以及街灯等的照明装置的光源。
技术实现思路
实施例提供了一种能够提高可靠性的。实施例提供了一种能够防止发光结构损坏(例如破裂)的。实施例提供了一种能够提高发光效率的。根据实施例，制造发光器件的方法包括以下步骤在衬底上形成化合物半导体层， 该衬底包括芯片区域和隔离区域；选择性地蚀刻该化合物半导体层，以在芯片区域上形成发光结构并在隔离区域上形成缓冲结构；在发光结构和缓冲结构上形成导电支撑构件；通过使用激光剥离工艺来移除所述衬底；以及对导电支撑构件进行分割，以形成芯片区域的多个芯片，其中，所述缓冲结构与发光结构间隔开。根据实施例，发光器件包括导电支撑构件；芯片区域，所述芯片区域限定所述导电支撑构件上的发光结构；隔离区域，该隔离区域位于导电支撑构件上的多个芯片区域之间；以及至少一个缓冲结构，该至少一个缓冲结本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制造发光器件的方法，包括：在衬底上形成化合物半导体层，所述衬底包括芯片区域和隔离区域；选择性地蚀刻所述化合物半导体层，以在所述芯片区域上形成发光结构并在所述隔离区域上形成缓冲结构；在所述发光结构和所述缓冲结构上形成导电支撑构件；通过使用激光剥离工艺来移除所述衬底；以及对所述导电支撑构件进行分割，以形成所述芯片区域的多个芯片，其中，所述缓冲结构与所述发光结构间隔开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑泳奎，朴径旭，宋俊午，崔光基，宋大正，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR