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本发明公开了一种发光器件及其制造方法，其包括以下步骤：在衬底上形成化合物半导体层，该衬底包括芯片区域和隔离区域；选择性地蚀刻该化合物半导体层，以在芯片区域上形成发光结构并在隔离区域上形成缓冲结构；在发光结构和缓冲结构上形成导电支撑构件；通过...
该专利属于LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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