氮化镓外延结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化镓外延结构，其包括：氮化镓衬底、设置在氮化镓衬底上的氮化镓成核层、覆盖在氮化镓成核层上的致密氮化镓层以及设置在致密氮化镓层上的氮化镓外延层；其中，所述氮化镓衬底表面分布有多个凹陷部，多个所述凹陷部在氮化镓衬底表面的分布位置与所述氮化镓衬底的表面缺陷分布位置相对应。较之现有技术，本实用新型专利技术提供的氮化镓外延结构易于制作，生产效率高，其中氮化镓外延层的质量有明显提升，利于大规模生产和应用。利于大规模生产和应用。利于大规模生产和应用。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓外延结构


[0001]本申请具体涉及一种氮化镓外延结构，属于半导体材料


技术介绍

[0002]氮化镓同质外延结构是通过在已有的氮化镓衬底上继续生长氮化镓外延层制得，其较之异质衬底外延方法获得的氮化镓外延层，表现出低位错密度、低电流崩塌、高可靠性和高击穿电压等优势，因此越来越受到业界的青睐。但是，在现有的氮化镓同质外延结构之中，由于氮化镓衬底通常是异质外延形成的，会存在一定的位错，并且氮化镓衬底形成时往往还需经过从支撑衬底上剥离并清洗等步骤，清洗之后才会被输送到沉积腔室内。由于在清洗时容易有杂质在氮化镓衬底表面残留，在输送过程中可能也会有污染，这些因素都会导致现有氮化镓同质外延结构的品质不甚理想。此外，虽然现有氮化镓同质外延结构中的氮化镓外延层所含位错会少于异质外延生长形成的氮化镓层，但因氮化镓衬底中不可避免地会存在一定的位错，这仍会对现有氮化镓同质外延结构中氮化镓外延层的品质造成负面影响。

技术实现思路

[0003]本申请的主要目的在于提供一种氮化镓外延结构，以克服现有技术中的不足。
[0004]本申请的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓外延结构，其特征在于，包括：氮化镓衬底、设置在氮化镓衬底上的氮化镓成核层、覆盖在氮化镓成核层上的致密氮化镓层以及设置在致密氮化镓层上的氮化镓外延层；其中，所述氮化镓衬底表面分布有多个凹陷部。2.根据权利要求1所述的氮化镓外延结构，其特征在于：多个所述凹陷部在氮化镓衬底表面的分布位置与所述氮化镓衬底的表面缺陷分布位置相对应。3.根据权利要求2所述的氮化镓外延结构，其特征在于：多个所述凹陷部是由氮化镓衬底的表面缺陷经惰性气体等离子体轰击刻蚀形成。4.根据权利要求1所述的氮化镓外延结构，其特征在于：所述凹陷部的口径、深度为10
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300nm。5.根据权利要求1所述的氮化镓外延结构，其特征在于：所述氮化镓衬底表面是在加热条件下经氢气清洁...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐琳，
申请(专利权)人：苏州纳维科技有限公司，
类型：新型
国别省市：