四吋PSS衬底产量的提升方案制造技术

本公开提供了一种四吋PSS衬底产量的提升方案，包括以下步骤：步骤一，黄光PR图形；步骤二，制备九片盘刻蚀工艺载盘；步骤三，检验九片盘刻蚀工艺载盘是否满足工艺的需求指标；步骤四，利用九片盘刻蚀工艺载盘生产四时的PSS衬底。本公开的方法通过增加刻蚀工序每盘工艺片数，在相同数目机台的情况下，增加四时的PSS衬底的产量。底的产量。底的产量。

【技术实现步骤摘要】
四吋PSS衬底产量的提升方案


[0001]本专利技术涉及刻蚀
，具体涉及一种四吋PSS衬底产量的提升方案。

技术介绍

[0002]对于LED行业,涉及的工序图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate,PSS)，大家并不陌生。也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石(Al2O3)，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。一方面可以有效的减少GaN外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命；另一方面有源区发出的光，经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，使PSS上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大大提高，同时反向漏电流减小，LED的寿命也得到了延长。
[0003]随着LED领域工艺技术的发展，以及整个LED行业的迅速壮大，对GaN基LED器件PSS衬底的研究也逐渐增本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种四吋PSS衬底产量的提升方案，包括以下步骤：步骤一，黄光PR图形；步骤二，制备九片盘刻蚀工艺载盘；步骤三，检验九片盘刻蚀工艺载盘是否满足工艺的需求的指标；步骤四，利用九片盘刻蚀工艺载盘生产四时的PSS衬底。2.根据权利要求1所述的四吋PSS衬底产量的提升方案，其特征在于，在步骤一中，所述黄光PR图形参数为：上底宽度为1.8um
‑
2.2um；下底宽度1.3um
‑
2.3um；高度在1.6um
‑
3.2um。3.根据权利要求1所述的四吋PSS衬底产量的提升方案，其特征在于，在步骤二中，所述九片盘刻蚀生产包括ME主刻和OE过刻。4.根据权利要求3所述的四吋PSS衬底产量的提升方案，其特征在于，所述ME主刻的参数为：背面氦气流量为4Torr
‑
6Torr；工艺时腔体的压强为3mT
‑
7mT；上电极的功率为1000W
‑
2000W；下电极的功率为100W
‑
500W；刻蚀气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱景春，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：