氮化物半导体衬底的制作方法技术

本申请提供了一种氮化物半导体衬底的制作方法，利用埋层二氧化硅与第一氮化物半导体层之间的点接触与部分悬空结构，缓解第二氮化物半导体层外延生长中的应力失配问题，可实现低缺陷、大尺寸氮化物半导体衬底的制作；此外，也利于自支撑氮化物半导体衬底制作过程中的底层硅剥离。底层硅剥离。底层硅剥离。底层硅剥离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：