公开了一种发光元件、用于发光元件的制造方法和显示装置。一种发光元件包括：半导体芯，其至少部分区域在一个方向上延伸，并且包括第一端部、第二端部以及在第一端部与第二端部之间的主体部分；第一电极层，设置为包围半导体芯的第二端部；第二电极层，设置为至少包围半导体芯的第一端部，并且与第一电极层间隔开；以及绝缘层，设置为包围半导体芯、第一电极层和第二电极层，其中，半导体芯的第二端部具有比主体部分的直径小的直径。比主体部分的直径小的直径。比主体部分的直径小的直径。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件、其制造方法以及显示装置
[0001]公开涉及一种发光元件、其制造方法以及显示装置。
技术介绍
[0002]显示装置的重要性随着多媒体的发展而增加。因此，正在使用诸如有机发光显示(OLED)装置和液晶显示(LCD)装置的各种类型的显示装置。
[0003]诸如OLED面板或LCD面板的显示面板是包括在显示装置中以显示图像的器件。在这些显示面板之中，可以设置发光元件作为发光显示面板，并且发光二极管(LED)的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机LED和使用无机材料作为荧光材料的无机LED。
技术实现思路
[0004]技术问题
[0005]公开的方面提供了一种发光元件及其制造方法，该发光元件通过生长半导体晶体来制造并且包括在同一工艺中形成为彼此间隔开的电极层。
[0006]公开的方面还提供了一种显示装置，该显示装置包括发光元件和与不同电极层接触的电极。
[0007]应当注意的是，公开的方面不限于此，并且通过以下描述，这里未提及的其他方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
[0008]技术方案
[0009]根据公开的实施例，发光元件包括：半导体芯，具有在一个方向上延伸的至少部分区域，并且包括第一端部、第二端部和在第一端部与第二端部之间的主体部分；第一电极层，设置为围绕半导体芯的第二端部；第二电极层，设置为至少围绕半导体芯的第一端部，并且与第一电极层间隔开；以及绝缘膜，设置为围绕半导体芯、第一电极层和第二电极层，其中，半导体芯的第二端部具有比主体部分的直径小的直径。
[0010]第一电极层可以与主体部分间隔开，以围绕第二端部的至少部分区域，并且第二电极层可以围绕第一端部和主体部分。
[0011]在第一电极层中，与主体部分相邻的一侧的厚度可以小于与所述一侧相对的另一侧的厚度。
[0012]在主体部分中，与第一端部相邻的区域的直径可以大于与第二端部相邻的区域的直径。
[0013]第一端部可以具有倾斜的外表面。
[0014]半导体芯可以包括第一半导体层、围绕第一半导体层的至少部分区域的活性层以及围绕第一半导体层的部分区域和活性层的第二半导体层，其中，第一电极层可以与第一半导体层接触，并且第二电极层可以与第二半导体层接触。
[0015]第一半导体层可以包括在一个方向上延伸的第一部分、位于第一部分的一侧上的第二部分以及位于第一部分的另一侧上并且在一个方向上延伸的第三部分，其中，第二部
分可以具有倾斜的外表面。
[0016]第三部分的直径可以小于第一部分的直径，并且第三部分的外表面可以从第一部分的外表面朝向第一半导体层的中心凹陷。
[0017]第一电极层可以设置为在与第一部分间隔开的同时围绕第三部分的外表面的部分区域，并且第三部分的与第一部分相对的端部表面可以被暴露。
[0018]活性层可以设置为围绕第一部分的外表面。
[0019]第一半导体层可以掺杂有第一导电类型杂质，第二半导体层可以掺杂有第二导电类型杂质，第一半导体层可以包括掺杂区，在掺杂区中，第二部分的至少部分区域掺杂有第二导电类型杂质，并且活性层还可以设置在掺杂区与第二半导体层之间。
[0020]根据公开的实施例，一种发光元件的制造方法包括：在下基底上形成半导体芯，半导体芯包括第一端部、第二端部以及在第一端部与第二端部之间的主体部分；形成围绕半导体芯的第二端部的至少部分区域的第一电极层和围绕第一端部和主体部分并且与第一电极层间隔开的第二电极层；以及形成围绕第一电极层、第二电极层和半导体芯的绝缘膜，并且执行与下基底的分离。
[0021]在半导体芯中，第二端部的直径可以小于主体部分的直径，并且第二端部的外表面可以具有从主体部分的外表面凹陷的形状。
[0022]可以通过在半导体芯的外表面上沉积第一电极层和第二电极层的材料来执行形成第一电极层和第二电极层的步骤，并且材料可以不沉积在第二端部与主体部分之间。
[0023]形成半导体芯的步骤可以包括：形成设置在下基底上的第一掩模层、设置在第一掩模层上的第二掩模层以及穿透第一掩模层和第二掩模层以使下基底部分地暴露的蚀刻孔；沿着蚀刻孔生长第一半导体层并且去除第二掩模层，以使第一半导体层的一部分暴露；在暴露的第一半导体层上形成活性层和第二半导体层；以及去除第一掩模层。
[0024]第一掩模层的蚀刻孔的直径可以小于第二掩模层的蚀刻孔的直径。
[0025]第一半导体层可以包括在一个方向上延伸的第一部分、位于第一部分的一侧上的第二部分以及位于第一部分的另一侧上并且在所述一个方向上延伸的第三部分，其中，第三部分可以通过沿着第一掩模层的蚀刻孔生长而形成，并且第一部分可以通过沿着第二掩模层的蚀刻孔生长而形成。
[0026]根据公开的实施例，一种显示装置包括基底、设置在基底上的第一电极、设置在基底上并且与第一电极间隔开的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的至少一个发光元件，其中，发光元件包括：半导体芯，具有在一个方向上延伸的至少部分区域，并且包括第一端部、第二端部以及在第一端部与第二端部之间的主体部分；第一电极层，设置为围绕半导体芯的第二端部；第二电极层，设置为至少围绕半导体芯的第一端部，并且与第一电极层间隔开；以及绝缘膜，设置为围绕半导体芯、第一电极层和第二电极层，其中，半导体芯的第二端部具有比主体部分的直径小的直径。
[0027]第一电极层可以与主体部分间隔开，以围绕第二端部的至少部分区域，并且第二电极层可以围绕第一端部和主体部分。
[0028]显示装置还可以包括与第一电极和第二电极层接触的第一接触电极以及与第二电极和第一电极层接触的第二接触电极。
[0029]发光元件的绝缘膜的至少部分区域可以被去除，以使第一电极层和第二电极层部
分地暴露，第一接触电极可以与暴露的第二电极层接触，并且第二接触电极可以与暴露的第一电极层和半导体芯的第二端部部分地接触。
[0030]显示装置可以包括第一像素和第二像素，发光元件可以包括设置在第一像素中的第一发光元件和设置在第二像素中的第二发光元件，并且第一发光元件的中心部分的直径可以小于第二发光元件的中心部分的直径。
[0031]从第一发光元件发射的第一光可以具有比从第二发光元件发射的第二光的中心波段短的中心波段。
[0032]其他实施例的细节包括在具体实施方式和附图中。
[0033]有益效果
[0034]根据一个实施例的发光元件可以通过生长半导体晶体来制造，具有其中部分区域的直径小于另一区域的直径的形状，并且包括在同一工艺中形成为彼此间隔开的多个电极层。因为电极层的材料未沉积在直径改变的区域上，所以电极层可以形成为彼此间隔开。
[0035]因此，根据一个实施例的发光元件可以包括彼此不直接连接的多个电极层，并且显示装置可以包括发光元件，使得不同的电极可以电连接到发光元件的电极层。
[0036]根据实施例的效果不受以上例示的内容的限制，更多的各种效果包本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，所述发光元件包括：半导体芯，具有在一个方向上延伸的至少部分区域，并且包括第一端部、第二端部以及在所述第一端部与所述第二端部之间的主体部分；第一电极层，设置为围绕所述半导体芯的所述第二端部；第二电极层，设置为至少围绕所述半导体芯的所述第一端部，并且与所述第一电极层间隔开；以及绝缘膜，设置为围绕所述半导体芯、所述第一电极层和所述第二电极层，其中，所述半导体芯的所述第二端部具有比所述主体部分的直径小的直径。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极层与所述主体部分间隔开，以围绕所述第二端部的至少部分区域，并且所述第二电极层围绕所述第一端部和所述主体部分。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，在所述第一电极层中，与所述主体部分相邻的一侧的厚度小于与所述一侧相对的另一侧的厚度。4.根据权利要求2所述的发光元件，其中，在所述主体部分中，与所述第一端部相邻的区域的直径大于与所述第二端部相邻的区域的直径。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述第一端部具有倾斜的外表面。6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述半导体芯包括：第一半导体层；活性层，围绕所述第一半导体层的至少部分区域；以及第二半导体层，围绕所述第一半导体层的部分区域和所述活性层，其中，所述第一电极层与所述第一半导体层接触，并且所述第二电极层与所述第二半导体层接触。7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述第一半导体层包括：第一部分，在所述一个方向上延伸；第二部分，位于所述第一部分的一侧上；以及第三部分，位于所述第一部分的另一侧上并且在所述一个方向上延伸，其中，所述第二部分具有倾斜的外表面。8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，所述第三部分的直径小于所述第一部分的直径，并且所述第三部分的外表面从所述第一部分的外表面朝向所述第一半导体层的中心凹陷。9.根据权利要求8所述的发光元件，其中，所述第一电极层设置为在与所述第一部分间隔开的同时围绕所述第三部分的所述外表面的部分区域，并且所述第三部分的与所述第一部分相对的端部表面被暴露。10.根据权利要求7所述的发光元件，其中，所述活性层设置为围绕所述第一部分的外表面。11.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述第一半导体层掺杂有第一导电类型杂质，所述第二半导体层掺杂有第二导电类型杂质，所述第一半导体层包括掺杂区，在所述掺杂区中，所述第二部分的至少部分区域掺杂
有所述第二导电类型杂质，并且所述活性层还设置在所述掺杂区与所述第二半导体层之间。12.一种用于发光元件的制造方法，所述方法包括：在下基底上形成半导体芯，所述半导体芯包括第一端部、第二端部以及在所述第一端部与所述第二端部之间的主体部分；形成围绕所述半导体芯的所述第二端部的至少部分区域的第一电极层和围绕所述第一端部和所述主体部分并且与所述第一电极层间隔开的第二电极层；以及形成围绕所述第一电极层、所述第二电极层和所述半导体芯的绝缘膜，并且执行与所述下基底的分离。13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，在所述半导体芯中，所述第二端部的直径小于所述主体部分的直径，并且所述第二端部的外表面具有从所述主体...
【专利技术属性】
技术研发人员：金东旭，金世咏，车炯来，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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