外延基板及其制作方法技术

本申请涉及一种外延基板及其制作方法。该外延基板包括衬底、缺陷阻挡层和纳米图形层，缺陷阻挡层设置于衬底的一侧，纳米图形层设置于缺陷阻挡层远离衬底的一侧，且该纳米图形层由至少一层纳米级颗粒构成，纳米级颗粒使纳米图形层远离衬底的一侧具有凹凸表面。上述缺陷阻挡层和上述纳米图形层能够阻挡外延基板向薄膜延伸的穿透位错，从而增加了载流子浓度，提高了辐射复合几率和内量子效率，提高了器件的发光效率，且以纳米图形层的凹凸表面为生长表面，能够使生长的外延薄膜通过侧向生长使位错弯曲、合并，促使了外延薄膜的纵向生长变为横向生长等非纵向生长，进而能够降低外延薄膜的位错密度，提高了外延薄膜的晶体质量。提高了外延薄膜的晶体质量。提高了外延薄膜的晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
外延基板及其制作方法


[0001]本申请涉及外延薄膜
，尤其涉及一种外延基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]微型发光二级管(Micro Light Emitting Diode，Micro
‑
LED)作为新一代显示技术，因对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等方面均优于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光半导体(Organic Light Emitting Diode，OLED)，从而故备受关注。
[0003]目前，Micro
‑
LED也面临着很多挑战，其中高质量的外延薄膜的获得就是其中之一。因Micro
‑
LED的芯片尺寸较小，通常为几十微米甚至几微米，而传统的图形衬底图形大小在微米级，已不能满足需求，在衬底上制成高质量高发光效率的外延片已成为重要课题之一。
[0004]现在主要的外延技术是异质外延，异质外延薄膜具有很高的位错密度。外延薄膜与衬底之间的穿透位错是有效的非辐射符合中心，在位错密集区域，载流子由于非辐射复合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延基板，其特征在于，包括：衬底；缺陷阻挡层，设置于所述衬底的一侧；以及纳米图形层，设置于所述缺陷阻挡层远离所述衬底的一侧，所述纳米图形层由至少一层纳米级颗粒构成，所述纳米级颗粒使所述纳米图形层远离所述衬底的一侧具有凹凸表面。2.如权利要求1所述的外延基板，其特征在于，所述纳米级颗粒为多面体结构。3.如权利要求2所述的外延基板，其特征在于，所述纳米级颗粒为硅晶体颗粒。4.如权利要求1所述的外延基板，其特征在于，所述纳米级颗粒的粒径为10～100nm。5.如权利要求1至4中任一项所述的外延基板，其特征在于，所述缺陷阻挡层为SiN
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层。6.一种如权利要求1至5中任一项所述的外延基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上沉积形成缺陷阻挡层；在所述缺陷阻挡层上沉积至少一层纳米级颗粒，以形成具有凹凸表面的纳米图形层。7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述缺陷阻挡层的步骤中，采用第一磁控溅射工艺在富氮条...

【专利技术属性】
技术研发人员：周毅，黄国栋，杨顺贵，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：