一种半导体结构制造技术

本技术提供了一种半导体结构，包括衬底，包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域；形成于所述衬底上的沟道结构；以及位于所述第三区域内的第一P型埋层，所述第一P型埋层沿着平行于沟道宽度的方向延伸。本技术提供的半导体结构将第一P型埋层下放至衬底中，第一P型埋层被配置耗尽沟道结构中的二维电子气，以实现增强型半导体结构，该设置有效避免了栅极漏电、栅极靠近漏极边缘的电场集中效应等问题的产生，且将第一P型埋层下放至衬底中，避免了传统做法中在沟道结构上方制备P型半导体层的繁琐步骤，简化了制备方式，有效提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件，具体涉及一种半导体结构。

技术介绍

1、氮化镓基半导体作为制造下一代晶体管或半导体器件的首选材料，具有优于其他半导体的多个优势，这些晶体管可在高压和高频应用中使用。例如氮化镓(gan)基半导体具有宽禁带，使由这些材料制成的器件能够具有较高的击穿电场，并能在很宽的温度范围内保持坚固性。由基于gan的异质结构形成的二维电子气(2deg)通常具有较高的电子迁移率，使得使用这些结构制造的器件可用于功率开关和放大系统。

2、但是，氮化镓基半导体器件也会因为栅极漏电、缓冲层漏电、栅极靠近漏极边缘的电场集中效应等因素，是使得件往往会被提前击穿，还未到达gan材料的理论极限。因此，研究具有增强型、高耐压的高性能双沟道hemt器件对提升能源使用效率具有十分重要的意义。。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，提出了本技术。本技术实施例提供了一种半导体结构，包括：

2、衬底，包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域；

3、形成于所述衬底上的沟道结构；

4、以及位于所述第三区域内的第一p型埋层，所述第一p型埋层沿着平行于沟道宽度的方向延伸。

5、可选地，所述第一p型埋层的厚度小于等于所述衬底的厚度。

6、可选地，所述第一p型埋层位于所述衬底靠近所述沟道结构一侧的表面；

7、或，所述第一p型埋层位于所述衬底中；

8、或，所述第一p型埋层沿着所述衬底的厚度方向上贯穿所述衬底。

9、可选地，所述第一p型埋层的数量为多个，多个所述第一p型埋层沿着平行于沟道长度的方向间隔排布。

10、可选地，沿着平行于沟道长度的方向，多个所述第一p型埋层的截面宽度变化方式包括以下变化方式中的至少一种：周期变化、逐渐增大、逐渐减小、先增大后减小或先减小后增大，所述截面垂直于所述衬底所在的平面。

11、可选地，位于所述第二区域内的第二p型埋层，所述第二p型埋层与所述第一p型埋层连接。

12、可选地，沿着所述第一区域指向所述第二区域的方向上，所述第二p型埋层的厚度不变或逐渐减小，所述截面平行于所述衬底所在的平面。

13、可选地，所述第二p型埋层位于所述衬底靠近所述沟道结构一侧的表面；

14、或，所述第二p型埋层位于所述衬底中；

15、或，所述第二p型埋层沿着所述衬底的厚度方向上贯穿所述衬底

16、可选地，所述第二p型埋层的数量为多个，多个所述第二p型埋层沿着平行于沟道宽度的方向间隔排列。

17、可选地，沿着所述第一区域指向所述第二区域的方向，所述第二p型埋层的截面宽度不变或逐渐减小。

18、可选地，所述半导体结构还包括介质层，所述介质层位于所述沟道结构远离所述衬底的一侧。

19、可选地，还包括位于所述沟道结构远离所述衬底一侧的栅极以及位于所述栅极两侧的源极和漏极，其中，至少部分所述栅极在所述衬底上的投影位于所述第三区域内。

20、本实施例提供的半导体结构中将第一p型埋层下放至衬底中，第一p型埋层被配置耗尽沟道结构中的二维电子气，以实现增强型半导体结构，该设置有效避免了栅极漏电、栅极靠近漏极边缘的电场集中效应等问题的产生，且将第一p型埋层下放至衬底中，避免了传统做法中在沟道结构上方制备p型半导体层的繁琐步骤，简化了制备方式，有效提高生产效率。

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【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，

9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括介质层(6)，所述介质层(6)位于所述沟道结构(2)远离所述衬底(1)的一侧。

12.根据权利要求1-10中任意一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括位于所述沟道结构(2)远离所述衬底(1)一侧的栅极(5)以及位于所述栅极(5)两侧的源极(3)和漏极(4)，其中，至少部分所述栅极(5)在所述衬底(1)上的投影位于所述第三区域(1C)内，所述源极(3)在所述衬底(1)上的投影位于所述第一区域(1A)内，所述漏极(4)在所述衬底(1)上的投影位于所述第二区域(1B)内。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，

9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：