一种半导体结构制造技术

本申请提供了一种半导体结构，半导体结构包括，第一半导体层，位于第一半导体层上包含交替排布的量子垒层和量子阱层的多量子阱层，位于量子阱层上的插入层，位于多量子阱层上的第二半导体层，其中，插入层为含钪组分的氮化物材料。本申请中，含钪组分的氮化物插入层可以修复外延量子阱材料恶化问题，同时对下方量子阱层引入压应力，以更低In组分的InGaN量子阱材料实现更长的发光波长。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体结构。

技术介绍

1、gan材料应用于照明、显示等领域一般为通过mocvd方法制备gan基led，其材料发光区主要为由gan和ingan材料周期性组成的多量子阱结构(mqw)，其中量子阱材料为ingan。高质量、高in组分ingan/gan的mqw生长是实现长波长发光器件的关键问题。由于ingan与gan材料的最佳生长温度不同，如果gan量子垒层的生长采用较低的温度，利于ingan量子阱层的生长，但会造成量子垒层晶体质量变差，降低发光效率。

2、目前，gan量子垒层通常采用较高温度生长，然而这会使ingan量子阱层在升温的过程中发生分解，一方面，造成量子阱材料晶体质量下降，对应led内量子效率明显下降、特征的发光频谱半宽偏大等问题，另一方面，量子阱层in组分的降低，发光器件发光波长变短，无法满足ingan材料内in组分日益提高的需求，即无法实现长波长发光器件的制备。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例提供了一种半导体结构，以解决现有技术中ingan量子阱层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述插入层(23)的材料为ScxGa1-xN、ScxAlyGa1-x-yN、ScxInyGa1-x-yN或ScxAlyInzGa1-x-y-zN中一种或多种的组合。

3.根据权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述插入层(23)钪组分x大于等于0.01且小于等于0.5。

4.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，沿远离所述第一半导体层(10)的方向，每个所述插入层(23)的钪组分变化为均匀不变、线性增大、线性减小、阶梯型增大、阶梯型减小、delta变化中一种或多...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述插入层(23)的材料为scxga1-xn、scxalyga1-x-yn、scxinyga1-x-yn或scxalyinzga1-x-y-zn中一种或多种的组合。

3.根据权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述插入层(23)钪组分x大于等于0.01且小于等于0.5。

4.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，沿远离所述第一半导体层(10)的方向，每个所述插入层(23)的钪组分变化为均匀不变、线性增大、线性减小、阶梯型增大、阶梯型减小、delta变化中一种或多种的组合。

5.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，每个所述插入层(23)的厚度大于等于0.5nm且小于等于5nm。

6.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述插入层(23)可以为n型掺杂或者p型掺杂。

7.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，沿远离所述第一半导体层(10)的方向，多个所述插入层(23a，23b，…)钪组分x为逐层均匀递增或跳变递增。

8.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，沿远离所述第一半导体层(10)的方向，所述插入层(23)为多层结构。

9.根据权利要求8所述半导体结构，其特征在于，所述多层结构材料相同，为scxga1-xn、scxalyga1-x-yn、scxiny...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘慰华，孙良芳，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：