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本申请提供了一种半导体结构，半导体结构包括，第一半导体层，位于第一半导体层上包含交替排布的量子垒层和量子阱层的多量子阱层，位于量子阱层上的插入层，位于多量子阱层上的第二半导体层，其中，插入层为含钪组分的氮化物材料。本申请中，含钪组分的氮化物...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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