一种用于晶片粘接的治具制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于晶片粘接的治具，包括：载台，活动配置于载台上的定位组件，定位组件包括定位块和顶出块，定位块内设置上下贯通的通道，顶出块设置于通道内且相对于定位块作上下运动，顶出块的上表面与定位块的内壁围合形成用于收容晶片的收容空腔。采用该治具将晶片依次放置于收容空腔内，晶片的边缘与定位块的内壁紧密贴合，以获得多片晶片经层叠定位后形成的晶片层叠体；同时，通过在晶片之间设置粘接介质，以达到对多片晶片高精度粘接的目的。通过顶出块相对于定位块作上下运动，以将晶片层叠体由下至上推出收容空腔，以便于使用磨削设备整体地对多个已经粘接的晶片进行磨削，以得到所需尺寸的晶片。以得到所需尺寸的晶片。以得到所需尺寸的晶片。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶片粘接的治具


[0001]本技术涉及晶片加工设备
，更具体涉及一种用于晶片粘接的治具。

技术介绍

[0002]在晶片加工过程中，为了获得精确尺寸的晶片，需要先外延生长出比所需尺寸略大的晶片，然后再对其进行磨削以达到所需尺寸。由于晶片的质地比较薄脆，如果采用单片加工的方式，晶片很容易被损坏，且采用单片加工的方式耗时长。因此，可以选择将多片大尺寸晶片层叠定位后再进行加工，这样既可以降低晶片的损坏率，也可以节约晶片加工的耗时。但对于多片大尺寸的晶片同时加工，在对多片晶片进行定位时，现有技术缺乏辅助器械执行前述操作，完全根据个人经验来校正操作以使得晶片晶向统一排布，从而使得晶片定位不精准，并导致晶片的加工存在较大的误差。
[0003]有鉴于此，有必要对现有技术中的晶片定位方式予以改进，以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于公开一种用于晶片粘接的治具，用以实现对多片晶片的定位粘接，以有利于后续晶片直径的准确修正。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了一种用于晶片粘接的治具，包括：载台及活动配置于所述载台上的定位组件；所述定位组件包括定位块和顶出块，所述定位块内设置上下贯通的通道，所述顶出块设置于所述通道内且相对于所述定位块作上下运动，所述顶出块的上表面与所述定位块的内壁围合形成用于收容晶片的收容空腔。
[0006]作为本技术的进一步改进，所述收容空腔的横截面形状与所述晶片的横截面形状相同。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述晶片的边缘设置用于呈现晶向的第一定位部，所述定位块的内壁设置第二定位部，所述第一定位部与第二定位部相贴合。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述定位块设置用于托持所述顶出块的承托座。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述承托座由所述定位块向通道内凸设形成。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述通道为轴对称结构，所述通道的纵向截面呈T形，所述顶出块的形状与所述通道的形状相对应。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述晶片为氮化镓晶片。
[0012]作为本技术的进一步改进，相邻的两个所述晶片之间设置粘接介质，以将多片所述晶片粘接。作为本技术的进一步改进，所述粘接介质为石蜡或AB胶。
[0013]作为本技术的进一步改进，所述载台的材质为不锈钢、铜或合金，且所述载台内置加热元件。
[0014]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0015]本技术提供一种用于晶片粘接的治具，将顶出块设置于定位块的通道内并于顶出块的上方形成收容空腔，然后将晶片依次放置于收容空腔内，晶片的边缘与定位块的
内壁紧密贴合，以获得多片晶片经层叠定位后形成的晶片层叠体；同时，通过在晶片之间放置粘接介质，达到对多片晶片高精度粘接的目的。通过顶出块相对于定位块作上下运动，以将晶片层叠体由下至上推出收容空腔，以便于使用磨削设备整体地对多个已经粘接的晶片进行磨削，以得到所需尺寸的晶片。
附图说明
[0016]图1为本技术所揭示的一种用于晶片粘接的治具的剖视图；
[0017]图2为图1所示出的用于晶片粘接的治具的俯视图；
[0018]图3为图1所示出的用于晶片粘接的治具中的定位块的主视图；
[0019]图4为图3的俯视图；
[0020]图5为图1所示出的用于晶片粘接的治具中的顶出块在定位块内的相对运动示意图。
具体实施方式
[0021]下面结合附图所示的各实施方式对本技术进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本技术的保护范围之内。
[0022]需要理解的是，在本申请中，术语“纵向”、“横向”、“长度”、“厚度”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术方案和简化描述，而不是指示或暗示所指的治具或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术方案的限制。
[0023]参图1至图5所揭示的一种用于晶片粘接的治具的一种具体实施方式。
[0024]参图1、图3和图5所示，在本实施例中，用于晶片粘接的治具100包括：载台1及活动配置于载台1上的定位组件2；定位组件2包括定位块21和顶出块22，定位块21内设置上下贯通的通道23，顶出块22设置于通道23内且相对于定位块21作上下运动，顶出块22的上表面221与定位块21的内壁213围合形成用于收容晶片24的收容空腔231。
[0025]参图1至图4所示，晶片24的边缘设置用于呈现晶向的第一定位部241，定位块21的内壁213设置第二定位部211，第二定位部211设置在收容空腔231的侧面，第一定位部241与第二定位部211相贴合。收容空腔231的横截面形状与待定位的晶片24的横截面形状相同，以通过收容空腔231实现对多片晶片24的定位。在本实施例中，设置在晶片24边缘处的第一定位部241为平槽，第二定位部211为位于定位块21的内壁213的竖向直切面，通过将第一定位部241与第二定位部211对准，从而将晶片24沿定位块21的内壁213向下放置于收容空腔231内。需要进一步说明的是，用于呈现晶向的第一定位部241可以为平槽，也可以为V槽，只要能够达到晶片精准定位的目的即可。
[0026]在本实施例中，晶片24可为氮化镓晶片。氮化镓作为第三代半导体材料的典型代表，质地非常薄脆，目前常用的氮化镓晶片外延生长形成的直径为50.8mm。为了加工出直径为50mm的氮化镓晶片，需要将直径为50.8mm的氮化镓晶片磨削至50mm。但是采用单片加工的方式，很容易使得氮化镓晶片损坏，因此需要将多个氮化镓晶片定位粘接后再进行磨削。
为了得到高精度粘接的氮化镓晶片，除了将待粘接的氮化镓晶片的加工精度控制在0
‑
0.02mm，同样对于晶片定位粘接的精度要求也是非常高的。
[0027]参图1所示，在相邻的两个晶片24之间放置粘接介质25，以将多片晶片24粘接。在本实施例中，粘接介质25为石蜡，载台1内置加热元件(未示出)，载台1的材质为不锈钢、铜或合金。石蜡的熔点较低(60摄氏度左右)，热稳定性好，而且石蜡冷却凝固后的硬度很低，在后续磨削过程中降低了对磨削设备(未示出)的阻力，且不会对晶片本身造成影响；同时，由于石蜡可在加热后重新执行对多片晶片的粘接处理，因此可反复利用，从而降低了成本。
[0028]参图3所示，定位块21向通道23内凸设形成用以托持顶出块22的承托座212，承托座212上设置托持面214以与顶出块22的抵持部222相配合。在本实施例中，通道23为轴对称结构，通道的纵向截面呈T形，顶出块22的形状与通道23的形状本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶片粘接的治具，其特征在于，包括：载台(1)及活动配置于所述载台(1)上的定位组件(2)；所述定位组件(2)包括定位块(21)和顶出块(22)，所述定位块(21)内设置上下贯通的通道(23)，所述顶出块(22)设置于所述通道(23)内且相对于所述定位块(21)作上下运动，所述顶出块(22)的上表面与所述定位块(21)的内壁围合形成用于收容晶片(24)的收容空腔(231)。2.根据权利要求1所述的用于晶片粘接的治具，其特征在于，所述收容空腔(231)的横截面形状与所述晶片(24)的横截面形状相同。3.根据权利要求1所述的用于晶片粘接的治具，其特征在于，所述晶片(24)的边缘设置用于呈现晶向的第一定位部(241)，所述定位块(21)的内壁设置第二定位部(211)，所述第一定位部(241)与第二定位部(211)相贴合。4.根据权利要求1所述的用于晶片粘接的治具，其特征在于，所述定位块(...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏克勇，张兵，莫桂贵，
申请(专利权)人：苏州纳维科技有限公司，
类型：新型
国别省市：