一种光导半导体器件及制造方法技术

本发明专利技术提供了一种光导半导体器件及制造方法，该光导半导体开关器件，包括：光导开关，形成于光导开关表面的光源；光源包括依次外延生长并形成于光导开关表面的n型GaN层，第一DBR层，有源区，第二DBR层以及P型GaN层，n型GaN层表面形成N电极，P型GaN层表面形成P电极，有源区由至少两组依次交替排布的铟合金层与GaN层组成，铟合金层为In<subgt;x</subgt;Ga<subgt;(1‑x)</subgt;N，x＝0.254±0.01。通过本发明专利技术，通过将光导开关和光源集成在一起，减小了光导半导体开关器件的体积，并提高了对有源区所激发光线的利用率，从而实现了光导半导体开关器件高集成度及小型化的需求及取得低导通电阻的技术效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种光导半导体器件及制造方法，更具体的涉及一种光导半导体开关器件。

技术介绍

1、光导开关(photo conductive semiconductor switch,pcss)是一种通过激光来控制导通和关断状态的半导体器件，它具有响应速度快、功率密度高、触发抖动小、抗电磁干扰能力强、体积小等优点，是目前最有望在脉冲功率领域应用的高性能开关，可用于介质壁加速器、冲激雷达、质子刀、脉冲武器、大电流点火装置、太赫兹发生器等领域，在军事、医疗、通讯等多个领域具有广阔的应用前景。

2、氮化镓(gan)是直接带隙半导体材料，具有禁带宽度大、电子迁移率高、击穿电场强、热导率高、抗辐射能力强等特点，适合工作在高温、高频、高压、大功率和强辐射等极端条件下，是制备光导开关器件的理想衬底材料。目前一般使用fe掺杂的半绝缘型gan衬底作为光导开关的核心材料。

3、光导开关在没有光照的情况下由于半绝缘型gan的电阻率很高(一般在1e8 ohm*cm以上)，所以整个器件处于关断状态。而在有光照的情况下，半绝缘gan材料内部会产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光导半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光导半导体器件，其特征在于，所述n型GaN层掺杂浓度为1E18/cm3～1E20/cm3的Si和/或Ge，且n型GaN层不掺杂In，所述有源区的GaN层为n型GaN，所述n型GaN层的掺杂方式包括均匀掺杂与调制掺杂。

3.根据权利要求1所述的光导半导体器件，其特征在于，所述有源区激发产生的光波长为458nm。

4.根据权利要求1所述的光导半导体器件，其特征在于，所述有源区由沿垂直于第一DBR层所在平面方向上形成依次交替排布的两组至十组铟合金层与GaN层，所述铟合金层的厚度为1～10nm...

【技术特征摘要】

1.一种光导半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光导半导体器件，其特征在于，所述n型gan层掺杂浓度为1e18/cm3～1e20/cm3的si和/或ge，且n型gan层不掺杂in，所述有源区的gan层为n型gan，所述n型gan层的掺杂方式包括均匀掺杂与调制掺杂。

3.根据权利要求1所述的光导半导体器件，其特征在于，所述有源区激发产生的光波长为458nm。

4.根据权利要求1所述的光导半导体器件，其特征在于，所述有源区由沿垂直于第一dbr层所在平面方向上形成依次交替排布的两组至十组铟合金层与gan层，所述铟合金层的厚度为1～10nm，gan层的厚度为2～20nm。

5.根据权利要求1所述的光导半导体器件，其特征在于，所述光源为gan基激光器或激光二极管。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光导半导体器件，其特征在于，所述光导开关包括fe掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建峰，
申请(专利权)人：苏州纳维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：