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本发明提供了一种光导半导体器件及制造方法，该光导半导体开关器件，包括：光导开关，形成于光导开关表面的光源；光源包括依次外延生长并形成于光导开关表面的n型GaN层，第一DBR层，有源区，第二DBR层以及P型GaN层，n型GaN层表面形成N电极...
该专利属于苏州纳维科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州纳维科技有限公司授权不得商用。

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