【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及腐蚀装置。
技术介绍
1、氮化镓是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与sic(碳化硅)、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代ge(锗)、si(硅)半导体材料、第二代gaas(砷化镓)、inp(磷化铟)化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力。
2、为了使氮化镓的厚度达到目标厚度，通常的做法是化学腐蚀和机械抛光，但是传统的机械抛光会存在抛光时产生的划痕，而传统的化学腐蚀方式的腐蚀效率较低。
3、基于此，本申请提供了腐蚀装置，以解决上述现有技术中存在的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供腐蚀装置，对多份样品同时进行腐蚀，提升腐蚀效率。
2、本申请的目的采用以下技术方案实现：
3、本申请提供一种腐蚀装置，包括：
4、腐蚀锅，所述腐蚀锅用于盛放腐蚀液；
5、花篮组件，所述花...
【技术保护点】
1.一种腐蚀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的腐蚀装置，其特征在于，每个所述花篮包括：
3.根据权利要求2所述的腐蚀装置，其特征在于，多个所述贯穿孔呈阵列排列，任意相邻两行或任意相邻两列的贯穿孔的距离相等。
4.根据权利要求3所述的腐蚀装置，其特征在于，每个所述贯穿孔的形状为圆形、扇形、矩形、三角形、正多边形或者不规则形状。
5.根据权利要求2所述的腐蚀装置，其特征在于，每个所述支撑板与所述腐蚀锅的底部的距离相同。
6.根据权利要求2所述的腐蚀装置，其特征在于，每个所述支撑板与所述腐蚀锅的底部
...【技术特征摘要】
1.一种腐蚀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的腐蚀装置，其特征在于，每个所述花篮包括：
3.根据权利要求2所述的腐蚀装置，其特征在于，多个所述贯穿孔呈阵列排列，任意相邻两行或任意相邻两列的贯穿孔的距离相等。
4.根据权利要求3所述的腐蚀装置，其特征在于，每个所述贯穿孔的形状为圆形、扇形、矩形、三角形、正多边形或者不规则形状。
5.根据权利要求2所述的腐蚀装置，其特征在于，每个所述支撑板与所述腐蚀锅的底部的距离相同。
6.根据权利要求2所述的腐蚀装置，其特征在于，每个所述支撑板与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡德敏，徐锦海，
申请(专利权)人：苏州纳维科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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