【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。在本说明书中半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置，因此电光装置、半导体电路以及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
1、使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜构成晶体管的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(ic)及图像显示装置(显示装置)等的电子设备。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知。但是，作为其他材料，氧化物半导体受到关注。
2、例如，已经公开了，作为晶体管的有源层使用电子载流子浓度低于1018/cm3的包含铟(in)、镓(ga)、锌(zn)的非晶氧化物的晶体管(参照专利文献1)。
3、[专利文献1]日本专利申请公开2006-165528号公报
4、但是，当在装置制造工序中氧化物半导体中混入用于形成电子供体的氢或水分时，有可能导致导电率变化。该现象是导致使用氧化物半导体的晶体管的电特性变动的主要原因。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本专利技术...
【技术保护点】
1.一种确定氧掺杂处理是否执行的方法，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的确定氧掺杂处理是否执行的方法，其中所述第一浓度与所述第二浓度分别通过二次离子质谱分析法测量。
3.一种半导体装置，包括：
4.一种半导体装置，包括：
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层不包含硅。
6.一种半导体装置，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一顶栅型晶体管包括氧化物半导体。
8.一种半导体装置，包括：
9.一种半导体装置，包括：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。