【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子电路制造领域，尤其涉及一种肖特基器件及其形成方法。
技术介绍
1、在180nm的单片集成工艺技术(bipolar-cmos-dmos，缩写为bcd)中，将互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，缩写为cmos)器件、双扩散金属氧化物半导体(double一diffused metal oxide semiconductor，缩写为dmos)功率器件同时制作在同一芯片上，综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和cmos集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。
2、但是，在对肖特基器件的制造过程中，由于金属硅化物与半导体基底的接触面在工艺过程中被损坏，从而造成肖特基器件漏电测试结果存在着均匀性不稳定的情况，进一步导致bcd工艺平台制造的芯片良率降低，提高了生产成本。
3、因此，提供一种漏电均匀性稳定的肖特基器件及其形成方法是亟需解决的结束问题。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技...
【技术保护点】
1.一种肖特基器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基底为N型半导体基底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述半导体基底上定义出金属硅化物形成区域的步骤进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成硅化物阻挡层于所述半导体基底表面的步骤进一步包括：沉积氧化物于所述半导体基底表面以形成所述硅化物阻挡层；
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的对所述金属硅化物形成区域进行硅注入的步骤进一步包括：
6.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种肖特基器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基底为n型半导体基底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述半导体基底上定义出金属硅化物形成区域的步骤进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成硅化物阻挡层于所述半导体基底表面的步骤进一步包括：沉积氧化物于所述半导体基底表面以形成所述硅化物阻挡层；
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的对所述金属硅化物形成区域进行硅注入的步骤进一步包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成金属硅化物于所述金属硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳泉霖，苏东敏，周贺雨，张幼杰，汪国维，刘军，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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