【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子电路制造领域，尤其涉及一种肖特基器件及其形成方法。
技术介绍
1、在180nm的单片集成工艺技术(bipolar-cmos-dmos，缩写为bcd)中，将互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，缩写为cmos)器件、双扩散金属氧化物半导体(double一diffused metal oxide semiconductor，缩写为dmos)功率器件同时制作在同一芯片上，综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和cmos集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。
2、但是，在对肖特基器件的制造过程中，由于金属硅化物与半导体基底的接触面在工艺过程中被损坏，从而造成肖特基器件漏电测试结果存在着均匀性不稳定的情况，进一步导致bcd工艺平台制造的芯片良率降低，提高了生产成本。
3、因此，提供一种漏电均匀性稳定的肖特基器件及其形成方法是亟需解决的结束问题。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是提供一种肖特基器件及其形成方法，以避免肖特基器件漏电测试结果存在着均匀性不稳定的问题。
2、为了解决上述问题，本申请提供了一种肖特基器件的形成方法，所述肖特基器件的形成方法包括：提供一半导体基底；于所述半导体基底上定义出金属硅化物形成区域；对所述金属硅化物形成区域进行硅注入；形成金属硅化物于所述金属硅化物形成区域，所述金属硅化物与所述半导体基底相接触形成漏电均匀性稳定的肖特基器
3、在一些具体实施方式中，所述半导体基底为n型半导体基底。
4、在一些具体实施方式中，所述于所述半导体基底上定义出金属硅化物形成区域的步骤进一步包括：形成硅化物阻挡层于所述半导体基底表面；图形化所述硅化物阻挡层以暴露部分所述半导体基底，所述半导体基底暴露出的区域定义为所述金属硅化物形成区域。
5、在一些具体实施方式中，所述形成硅化物阻挡层于所述半导体基底表面的步骤进一步包括：沉积氧化物于所述半导体基底表面以形成所述硅化物阻挡层；图形化所述硅化物阻挡层以暴露部分所述半导体基底的步骤进一步包括：旋涂光刻胶于所述硅化物阻挡层表面并图形化；以图形化的所述光刻胶为掩膜，通过sab刻蚀处理刻蚀所述硅化物阻挡层至暴露部分所述半导体基底。
6、在一些具体实施方式中，所述的对所述金属硅化物形成区域进行硅注入的步骤进一步包括：以图形化的所述光刻胶以及图形化的所述硅化物阻挡层为掩膜，对所述金属硅化物形成区域进行硅注入。
7、在一些具体实施方式中，所述形成金属硅化物于所述金属硅化物形成区域的步骤进一步包括：去除剩余光刻胶；形成金属层于所述硅化物阻挡层及所述半导体基底表面；采用退火工艺于所述金属硅化物形成区域形成所述金属硅化物。
8、在一些具体实施方式中，所述采用退火工艺于所述金属硅化物形成区域形成所述金属硅化物的步骤进一步包括：采用第一步快速热处理的方式于所述金属硅化物形成区域形成金属硅化物；去除所述硅化物阻挡层表面的金属层；采用第二步快速热处理的方式对所述金属硅化物进行相变处理，将所述金属硅化物转化为低阻状态。
9、在一些具体实施方式中，所述金属层的材料为金属钴。
10、在一些具体实施方式中，所述去除所述硅化物阻挡层表面的金属层的步骤进一步包括：根据金属钴与钴化物的刻蚀比，选择性刻蚀所述金属钴，以去除所述硅化物阻挡层表面的金属层。
11、在一些具体实施方式中，所述第一步快速热处理的温度为450～650℃，所述第二步快速热处理的温度大于或等于750℃。
12、为了解决上述问题，本申请还提供了一种肖特基器件，所述肖特基器件采用本申请所述的肖特基器件的形成方法制备而成。
13、上述技术方案，通过在所述半导体基底上定义出金属硅化物形成区域，并对所述金属硅化物形成区域进行硅注入，以弥补在形成金属硅化物的过程中所造成的对半导体基底表面的硅损伤，以改善所形成的肖特基器件的漏电程度，并提高漏电均匀性稳定程度。
14、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种肖特基器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基底为N型半导体基底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述半导体基底上定义出金属硅化物形成区域的步骤进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成硅化物阻挡层于所述半导体基底表面的步骤进一步包括：沉积氧化物于所述半导体基底表面以形成所述硅化物阻挡层；
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的对所述金属硅化物形成区域进行硅注入的步骤进一步包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成金属硅化物于所述金属硅化物形成区域的步骤进一步包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用退火工艺于所述金属硅化物形成区域形成所述金属硅化物的步骤进一步包括：
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为金属钴。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述去除所述硅化物阻挡层表面的金属层的步骤进一步包括：p>
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一步快速热处理的温度为450～650℃，所述第二步快速热处理的温度大于或等于750℃。
11.一种肖特基器件，其特征在于，所述肖特基器件采用权利要求1～10任一项所述的肖特基器件的形成方法制备而成。
...【技术特征摘要】
1.一种肖特基器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基底为n型半导体基底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述半导体基底上定义出金属硅化物形成区域的步骤进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成硅化物阻挡层于所述半导体基底表面的步骤进一步包括：沉积氧化物于所述半导体基底表面以形成所述硅化物阻挡层；
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的对所述金属硅化物形成区域进行硅注入的步骤进一步包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成金属硅化物于所述金属硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳泉霖，苏东敏，周贺雨，张幼杰，汪国维，刘军，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。