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本申请提供了一种肖特基器件及其形成方法。所述肖特基器件的形成方法包括：提供一半导体基底；于所述半导体基底上定义出金属硅化物形成区域；对所述金属硅化物形成区域进行硅注入；形成金属硅化物于所述金属硅化物形成区域，所述金属硅化物与所述半导体基底相...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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