氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质技术

本申请提供了氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质。氮化镓单晶的腐蚀方法包括：获取氮化镓单晶的初始状态信息，初始状态信息包括氮化镓单晶的厚度信息；基于预设的第一参数信息，将放置于容器内的氮化镓单晶进行初次腐蚀，第一参数信息包括第一浸泡时长和第一浸泡温度，容器内盛装有浸没氮化镓单晶的腐蚀液；基于初始状态信息和/或第一参数信息，检测氮化镓单晶的初次腐蚀是否满足第一结束条件；当满足第一结束条件时，基于预设的第二参数信息对氮化镓单晶进行二次腐蚀，以得到腐蚀后的氮化镓单晶。腐蚀方法将初次腐蚀和二次腐蚀两个关联步骤用于氮化镓单晶的腐蚀，具有废品率低等优点。低等优点。低等优点。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]氮化镓是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等性质和强的抗辐照能力。
[0003]现有的半导体腐蚀的工艺大多适用于传统半导体材料，不能很好地满足市场对氮化镓晶体的腐蚀需求。基于此，本申请提供了氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及计算机可读存储介质，以改进现有技术。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及计算机可读存储介质，将初次腐蚀和二次腐蚀两个关联步骤用于氮化镓单晶的腐蚀，具有废品率低等优点。
[0005]本申请的目的采用以下技术方案实现：
[0006]第一方面，本申请提供了一种氮化镓单晶的腐蚀方法，所述方法包括：
[0007]获取氮化镓单晶的初始状态信息，所述初始状态信息包括所述氮化镓单晶的厚度信息；
[0008]基于预设的第一参数信息，将放置于容器内的所述氮化镓单晶进行初次腐蚀，所述第一参数信息包括第一浸泡时长和第一浸泡温度，所述容器内盛装有浸没所述氮化镓单晶的腐蚀液；
[0009]基于所述初始状态信息和/或所述第一参数信息，检测所述氮化镓单晶的初次腐蚀是否满足第一结束条件；
[0010]当满足所述第一结束条件时，基于预设的第二参数信息对所述氮化镓单晶进行二次腐蚀，以得到腐蚀后的所述氮化镓单晶，所述第二参数信息包括第二浸泡时长和第二浸泡温度。
[0011]该技术方案的有益效果在于：本实施例提供的腐蚀方法，包括初次腐蚀和二次腐蚀两个关联步骤。在初次腐蚀中，氮化镓单晶被浸泡在预先装有腐蚀液的容器中，根据预设的第一参数信息(包括浸泡时长和温度)进行腐蚀处理。在此过程中，可以利用初始状态信息(包括厚度信息)、第一参数信息监测氮化镓晶体的腐蚀进程，以确保其满足第一结束条件。在达到第一结束条件后，进行二次腐蚀，根据预设的第二参数信息(包括浸泡时长和温度)，得到所需的腐蚀后的氮化镓单晶。这种方法的优点在于可以保证氮化镓单晶的腐蚀得到准确控制，以满足操作人员的需求。同时，它的过程简单、易于掌握，而且效率高，可以大大提高腐蚀工艺的效率并降低了废品率。
[0012]具体而言，相比于现有的氮化镓晶体腐蚀工艺，本实施例提供的用于氮化镓单晶
的腐蚀方法，一方面，操作人员可以根据对氮化镓晶体的腐蚀需要，通过不同的制定参数(第一参数信息和第二参数信息)来控制腐蚀加工，使得所需的氮化镓单晶的腐蚀过程可控性强。另一方面，通过分为两次腐蚀来控制氮化镓单晶的厚度，可以更加精准地达到目标厚度。又一方面，相比于现有一次腐蚀，可以更快地完成目标厚度的腐蚀，提高生产效率。又一方面，由于相较于现有技术，本实施例提供的方法腐蚀速率较快，可以减少因为腐蚀不完整或超过目标厚度而导致的废品率，降低成本。又一方面，第一次浸泡时长和浸泡温度的设定可以是为了使氮化镓单晶粗略地接近目标厚度，并且检测其是否满足第一结束条件，如果满足则进入第二次浸泡来达到目标厚度，实现了对目标厚度的控制。
[0013]综上，上述氮化镓单晶的腐蚀方法能满足操作人员对腐蚀进度进行控制的需求，具有降低废品率等优点，在氮化镓单晶生产中具有广泛的应用前景。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述腐蚀液是磷酸溶液，所述磷酸溶液的质量百分比浓度为90％至98％；
[0015]所述第一浸泡时长的范围为10分钟至200分钟，所述第二浸泡时长的范围为2分钟至60分钟，且所述第一浸泡时长不小于所述第二浸泡时长；
[0016]所述第一浸泡温度的范围为170℃至190℃，所述第二浸泡温度的范围为170℃至190℃。
[0017]该技术方案的有益效果在于：采用上述参数的腐蚀液，可提高氮化镓晶体的腐蚀效率。上述第一参数信息和第二参数信息，可以满足大部分客户的需求，得到所需的腐蚀后的氮化镓晶体。
[0018]在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：
[0019]获取初次腐蚀厚度，所述初次腐蚀厚度用于指示所述氮化镓单晶基于所述第一参数信息腐蚀掉的厚度；
[0020]所述第一结束条件包括以下至少一种：
[0021]所述初次腐蚀厚度不低于第一预设厚度；
[0022]在所述第一浸泡温度下，所述氮化镓单晶的实际浸泡时长不少于所述第一浸泡时长；
[0023]实时获取所述氮化镓单晶的实际图像和预设图像之间的相似度，当所述相似度不小于预设相似度时，满足所述第一结束条件。
[0024]该技术方案的有益效果在于：所述实施例可以控制初次腐蚀的腐蚀时长，一般而言第一参数信息中的第一浸泡时长是由操作人员经过多次测试得出的较佳值；在当前氮化镓单晶初次腐蚀的过程中，操作人员也可以根据其腐蚀效果的表现，调整第一参数信息中的第一浸泡时长。相对于传统的化学腐蚀工艺，本实施例将氮化镓的腐蚀过程分为初次腐蚀和二次腐蚀至少两步，因此具有更高的实时性。当腐蚀过程中达到所需的腐蚀深度，可以认为完成初次腐蚀，相比于将浸泡时长作为初次腐蚀结束的条件，腐蚀深度更能客观反应当前氮化镓晶体被腐蚀的效果和进度，特别适用于以生产为目的的应用场景。第一结束条件还可以是：初次腐蚀的(浸泡)时长既不少于第一浸泡时长、初次腐蚀厚度又不低于第一预设厚度，这种情况下，将腐蚀时长和腐蚀深度的实时检测结合在一起，仅满足其中一个条件并不代表氮化镓单晶的初次腐蚀完成，初次腐蚀的精度更好，即通过对不同参数的实时检测可实现对氮化镓晶体腐蚀的精准控制。
[0025]综上，上述实施例对氮化镓晶体的腐蚀深度和表面形貌方面的精细度控制较好。操作人员利用上述方法，后期可通过调整腐蚀参数(第一参数信息)，能够实现对不同类型的氮化镓单晶进行腐蚀进度控制，有效地提高表面光洁度。
[0026]在一些可选的实施方式中，当满足所述第一结束条件时，所述方法还包括：
[0027]利用吹洗装置对初次腐蚀后的所述氮化镓单晶进行冲洗和吹干；
[0028]所述基于预设的第二参数信息对所述氮化镓单晶进行二次腐蚀，以得到腐蚀后的所述氮化镓单晶，包括：
[0029]将冲洗和吹干后的所述氮化镓单晶放置于所述容器内，并基于所述第二参数信息对所述氮化镓单晶进行二次腐蚀；
[0030]基于所述初始状态信息和所述第二参数信息，检测所述氮化镓单晶的二次腐蚀是否满足第二结束条件，当满足时得到腐蚀后的所述氮化镓单晶；
[0031]所述第二结束条件包括：
[0032]在所述第二浸泡温度下，所述氮化镓单晶的实际浸泡时长不少于所述第二浸泡时长；和/或，所述氮化镓单晶腐蚀掉的厚度不低于第二预设厚度。
[0033]该技术方案的有益效果在于：所述实施例可以控制二次腐蚀的腐蚀时长，一般而言本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓单晶的腐蚀方法，其特征在于，所述方法包括：获取氮化镓单晶的初始状态信息，所述初始状态信息包括所述氮化镓单晶的厚度信息；基于预设的第一参数信息，将放置于容器内的所述氮化镓单晶进行初次腐蚀，所述第一参数信息包括第一浸泡时长和第一浸泡温度，所述容器内盛装有浸没所述氮化镓单晶的腐蚀液；基于所述初始状态信息和/或所述第一参数信息，检测所述氮化镓单晶的初次腐蚀是否满足第一结束条件；当满足所述第一结束条件时，基于预设的第二参数信息对所述氮化镓单晶进行二次腐蚀，以得到腐蚀后的所述氮化镓单晶，所述第二参数信息包括第二浸泡时长和第二浸泡温度。2.根据权利要求1所述的氮化镓单晶的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀液是磷酸溶液，所述磷酸溶液的质量百分比浓度为90％至98％；所述第一浸泡时长的范围为10分钟至200分钟，所述第二浸泡时长的范围为2分钟至60分钟，且所述第一浸泡时长不小于所述第二浸泡时长；所述第一浸泡温度的范围为170℃至190℃，所述第二浸泡温度的范围为170℃至190℃。3.根据权利要求2所述的氮化镓单晶的腐蚀方法，其特征在于，所述方法还包括：获取初次腐蚀厚度，所述初次腐蚀厚度用于指示所述氮化镓单晶基于所述第一参数信息腐蚀掉的厚度；所述第一结束条件包括以下至少一种：所述初次腐蚀厚度不低于第一预设厚度；在所述第一浸泡温度下，所述氮化镓单晶的实际浸泡时长不少于所述第一浸泡时长；实时获取所述氮化镓单晶的实际图像和预设图像之间的相似度，当所述相似度不小于预设相似度时，满足所述第一结束条件。4.根据权利要求2所述的氮化镓单晶的腐蚀方法，其特征在于，当满足所述第一结束条件时，所述方法还包括：利用吹洗装置对初次腐蚀后的所述氮化镓单晶进行冲洗和吹干；所述基于预设的第二参数信息对所述氮化镓单晶进行二次腐蚀，以得到腐蚀后的所述氮化镓单晶，包括：将冲洗和吹干后的所述氮化镓单晶放置于所述容器内，并基于所述第二参数信息对所述氮化镓单晶进行二次腐蚀；基于所述初始状态信息和所述第二参数信息，检测所述氮化镓单晶的二次腐蚀是否满足第二结束条件，当满足时得到腐蚀后的所述氮化镓单晶；所述第二结束条件包括：在所述第二浸泡温度下，所述氮化镓单晶的实际浸泡时长不少于所述第二浸泡时长；和/或，所述氮化镓单晶腐蚀掉的厚度不低于第二预设厚度。5.根据权利要求2所述的氮化镓单晶的腐蚀方法，其特征在于，所述初始状态信息还包括初始图像；所述方法还包括：
当所述氮化镓单晶的初次腐蚀满足第一结束条件时，获取所述氮化镓单晶的实际图像；获取所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡德敏，徐锦海，
申请(专利权)人：苏州纳维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：