一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂制造技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂，所述制绒添加剂由如下质量百分比含量的各组分：消泡剂1～10％、乳化剂0.5～1％、分散剂1～10％，余量为去离子水。本发明专利技术的制绒添加剂能够将制绒时间缩短至360秒，可以提高产业化效率。提高产业化效率。提高产业化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂


[0001]本专利技术涉及光伏技术中太阳能电池表面处理
，具体涉及一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂。

技术介绍

[0002]迈入二十世纪以来，经济和社会快速发展，世界人口持续增加，人类对能源的需求也屡创新高。但化石能源的利用无疑给生态环境带来沉重的负担，温室效应不断加剧，极端天气给我们的生活也带来了诸多的不便。人们认识到可持续发展的重要性，并且加快开发利用清洁能源，以保护我们共同的家园。太阳能是取之不尽用之不竭的可再生能源，而且我国太阳能资源丰富，合理利用太阳能是切实有效的。
[0003]在单晶硅片表面制绒是生产太阳能电池的第一步工艺，其重要性不言而喻。所谓制绒工艺就是在硅片表面通过碱性溶液刻蚀形成“金字塔”结构，光从绒面入射后，“金字塔”结构会增加其在硅表面的反射次数，从而增加光吸收、降低反射率，进而提高电池效率。不同成分的制绒液会得到不同的绒面，为得到尺寸均匀、低反射率且反应迅速的绒面，研究者不断对其成分进行改良。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提出一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂，该制绒添加剂能够缩短制绒时间，降低绒面的反射率。
[0005]根据本专利技术的第一个方面，所述单晶硅片的制绒添加剂由如下质量百分比含量的组分组成：消泡剂1～10％、乳化剂0.5～1％、分散剂1～10％，余量为去离子水。
[0006]优选的，所述消泡剂选自司班85、聚氧丙烯甘油醚GP、乙二醇单丁醚中的一种或多种。
[0007]优选的，所述乳化剂选自明胶粉、琼脂中的一种或多种。
[0008]优选的，所述分散剂选自亚甲基双萘磺酸钠、亚甲基二萘磺酸二钠、木质素磺酸钠中的一种或多种。
[0009]根据本专利技术的第二个方面，提供一种单晶硅片的制绒液，其中含有碱溶液和上述制绒添加剂，制绒添加剂和碱溶液的体积比为0.2～3:100。
[0010]优选的，所述碱溶液为1～3wt％的氢氧化钾溶液。
[0011]根据本专利技术的第三个方面，提供一种单晶硅片的快速制绒方法，利用上述制绒液对单晶硅片进行表面制绒，包括如下步骤：
[0012](1)配置制绒添加剂：将质量百分含量1～10％的消泡剂、0.5～1％的乳化剂、1～10％的分散剂加入到余量的去离子水中去，混合均匀配置成制绒添加剂；
[0013](2)配置制绒液：将步骤(1)配置的制绒添加剂与质量分数1～3％的氢氧化钾溶液混合均匀，得到制绒液；其中制绒添加剂与碱溶液的体积比为0.2～3:100；
[0014](3)制绒：将单晶硅片清洗后浸入步骤(2)制得的制绒液中进行表面制绒，制绒温
度为80～90℃，制绒时间为300～420秒。
[0015]本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：
[0016]利用本专利技术制备的单晶硅片快速制绒添加剂在单晶硅片表面制绒时，可以在360秒左右制备金字塔尺寸分布均匀、低反射率的绒面。
附图说明
[0017]图1为实施例2的扫描电子显微镜样图。
具体实施方式
[0018]下面结合附图和实施例对本专利技术的技术方案作进一步的说明。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。
[0019]实施例1
[0020]按照质量百分比含量，将1％的司班85、5％的聚氧丙烯甘油醚GP、3％的乙二醇单丁醚、1％的明胶粉、1.5％的亚甲基双萘磺酸钠、5％的木质素磺酸钠加入到余量的去离子水中配成制绒添加剂；配制质量分数为1％的氢氧化钾溶液，将制绒添加剂与氢氧化钾溶液按照体积比1:100混合均匀，得到制绒液；将单晶硅片放入制绒液中，制绒温度为90℃，制绒时间为360秒。反应结束后，将硅片放入去离子水中超声清洗10分钟，干燥后用扫描电子显微镜观察样品表面形貌。
[0021]实施例2
[0022]按照质量百分比含量，将1％的司班85、5％的聚氧丙烯甘油醚GP、3％的乙二醇单丁醚、1％的明胶粉、1.5％的亚甲基双萘磺酸钠、5％的木质素磺酸钠加入到余量的去离子水中配成制绒添加剂；配制质量分数为2％的氢氧化钾溶液，将制绒添加剂与氢氧化钾溶液按照体积比1:100混合均匀，得到制绒液；将单晶硅片放入制绒液中，制绒温度为90℃，制绒时间为360秒。反应结束后，将硅片放入去离子水中超声清洗10分钟，干燥后用扫描电子显微镜观察样品表面形貌。
[0023]实施例3
[0024]按照质量百分比含量，将1％的司班85、5％的聚氧丙烯甘油醚GP、3％的乙二醇单丁醚、1％的明胶粉、1.5％的亚甲基双萘磺酸钠、5％的木质素磺酸钠加入到余量的去离子水中配成制绒添加剂；配制质量分数为2％的氢氧化钾溶液，将制绒添加剂与氢氧化钾溶液按照体积比2:100混合均匀，得到制绒液；将单晶硅片放入制绒液中，制绒温度为90℃，制绒时间为360秒。反应结束后，将硅片放入去离子水中超声清洗10分钟，干燥后用扫描电子显微镜观察样品表面形貌。
[0025]实施例4
[0026]按照质量百分比含量，将1％的司班85、5％的聚氧丙烯甘油醚GP、3％的乙二醇单丁醚、1％的明胶粉、1.5％的亚甲基双萘磺酸钠、5％的木质素磺酸钠加入到余量的去离子水中配成制绒添加剂；配制质量分数为2％的氢氧化钾溶液，将制绒添加剂与氢氧化钾溶液按照体积比1:100混合均匀，得到制绒液；将单晶硅片放入制绒液中，制绒温度为80℃，制绒时间为360秒。反应结束后，将硅片放入去离子水中超声清洗10分钟，干燥后用扫描电子显微镜观察样品表面形貌。
[0027]实施例5
[0028]按照质量百分比含量，将1％的司班85、5％的聚氧丙烯甘油醚GP、3％的乙二醇单丁醚、1％的明胶粉、1.5％的亚甲基双萘磺酸钠、5％的木质素磺酸钠加入到余量的去离子水中配成制绒添加剂；配制质量分数为2％的氢氧化钾溶液，将制绒添加剂与氢氧化钾溶液按照体积比1:100混合均匀，得到制绒液；将单晶硅片放入制绒液中，制绒温度为90℃，制绒时间为300秒。反应结束后，将硅片放入去离子水中超声清洗10分钟，干燥后用扫描电子显微镜观察样品表面形貌。
[0029]实施例6
[0030]按照质量百分比含量，将1％的司班85、5％的聚氧丙烯甘油醚GP、3％的乙二醇单丁醚、1％的明胶粉、1.5％的亚甲基双萘磺酸钠、5％的木质素磺酸钠加入到余量的去离子水中配成制绒添加剂；配制质量分数为2％的氢氧化钾溶液，将制绒添加剂与氢氧化钾溶液按照体积比1:100混合均匀，得到制绒液；将单晶硅片放入制绒液中，制绒温度为90℃，制绒时间为420秒。反应结束后，将硅片放入去离子水中超声清洗10分钟，干燥后用扫描电子显微镜观察样品表面形貌。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂，其特征在于，包括如下质量百分比含量的各组分：消泡剂1～10％、乳化剂0.5～1％、分散剂1～10％，余量为去离子水。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂，其特征在于，所述消泡剂选自司班85、聚氧丙烯甘油醚GP、乙二醇单丁醚中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂，其特征在于，所述乳化剂选自明胶粉、琼脂中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂，其特征在于，所述分散剂选自亚甲基双萘磺酸钠、亚甲基二萘磺酸二钠、木质素磺酸钠中的一种或多种。5.一种单晶硅片的快速清洁及制绒添加剂，其中含有碱溶液和权利要求1中的制绒添加剂，制绒添加剂和碱溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭奎庆，徐晓玲，
申请(专利权)人：北京师范大学，
类型：发明
国别省市：