腐蚀法制备低粗糙度锗的方法技术

本申请公开了一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，属于半导体技术领域，所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀，干燥，得到低粗糙度锗；所述腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液；所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2～0.3)：1；腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。本申请通过将锗片浸入到含过氧化氢和氢氧化钠的水溶液中进行腐蚀，能够有效的降低锗片的粗糙度，腐蚀后锗片表面光泽度高、粗糙度低，在腐蚀的过程中持续加入第二过氧化氢溶液，使腐蚀液中过氧化氢浓度保持稳定，提高腐蚀效率，同时，过氧化氢分解产生氧气导致氧分压的提高，进一步提高腐蚀效果，降低粗糙度。粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
腐蚀法制备低粗糙度锗的方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法。

技术介绍

[0002]化学腐蚀在半导体制造中应用广泛，其中化学抛光在衬底制造中最为普遍。锗衬底在进行外延生长时，粗糙度是衬底表面的重要参数之一，如果粗糙度不佳，锗在外延生长后会可能会在表面出现雾状缺陷或者出现0.1
‑
0.2um级的小颗粒团聚，严重影响外延片表面质量，所以如何降低粗糙度是锗衬底生产中的重要问题。
[0003]在晶片受到腐蚀时，表面粗糙度的高低取决于腐蚀液的腐蚀效果以及腐蚀速率，而腐蚀效果以及腐蚀速率取决于溶液配比，温度，时间、腐蚀条件等多个因素，在生产中，CMP抛光的成品粗糙度受到前道化学抛光的出品粗糙度的影响。
[0004]CN107354513A公开了一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺，其特征在于：将锗单晶片浸入由氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸和去离子水配制而成的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间为为3min20s～3min40s，腐蚀温度保持在50℃～53℃；所述腐蚀液中氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，包括以下步骤：将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀，干燥，得到低粗糙度锗；所述腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液；所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2～0.3)：1；腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。2.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为0.25：1。3.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述第一过氧化氢溶液的质量分数为25～35％。4.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的质量分数为40～48％。5.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述第二过氧化氢溶液的质量分数为25～35％。6.根据权利要求5所述的腐蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴瑶，师晋海，田玉莲，王金灵，许家龙，毕宏岩，周铁军，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：