【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料加工
，具体指一种耐腐蚀、化学性质稳定、机械强 度高的半导体材料深刻蚀加工掩膜及金属化的制备方法。
技术介绍
微机电系统是微米大小的机械系统，大小一般在微米到毫米之间。它是指可批量 制作的，集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和 电源等于一体的微型器件或系统。MEMS是随着半导体集成电路微细加工技术和超精密机械 加工技术的发展而发展起来的，一般是由类似于半导体技术制造，如表面微加工、体型微加 工等技术。具有尺寸小、重量轻、成本低、可靠性高、抗振动冲击能力强以及易批量生产等优 点。本专利以SiC材料为例。 众所周知，SiC材料具有宽禁带、高击穿场强、高热导率、耐腐蚀和良好的机械性能 等优点，使其成为恶劣环境（高温、高压、强腐蚀、强辐射）下传感器芯片制造的首选材料， 但其优异的机械性能同时也增加了材料微加工的难度。而如何得到高质量的掩膜材料是解 决SiC微加工的重要一步。 作为耐腐蚀性强，常温下能很好地防止大气和水的浸蚀，在碱、盐和有机酸中很稳 定，且具有较高的硬度及耐磨性的镍材，通过电镀...
【技术保护点】
一种基于微电镀的MEMS微型阵列结构加工工艺，其特征在于，包含SiC晶圆(1)，厚度为150‑500μm，双面抛光，设计联通式微结构(2)，包括如下步骤：步骤1准备SiC衬底；步骤2进行光刻图形化；步骤3通过磁控溅射制备种子层；步骤4进行二次光刻图形化；步骤5配制电镀液；步骤6微电镀制备金属层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵高杰，孙玉俊，刘益宏，廖黎明，刘少雄，李星月，姜舒月，陈之战，
申请(专利权)人：上海师范大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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