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本发明一种基于微电镀的MEMS微型阵列结构加工工艺，具体指一种半导体材料深刻蚀加工的掩膜的制备方法，涉及半导体材料加工技术领域。本发明以SiC材料为例。本发明包括：准备SiC衬底；光刻图形化；磁控溅射制备种子层；二次光刻图形化；配制电镀液；...
该专利属于上海师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海师范大学授权不得商用。

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