本发明专利技术公开一种阵列基板结构及接触结构，其接触结构包括:一基板；一主动层，位于该基板上；一绝缘层，位于该主动层上；一层间介电层，位于该绝缘层上；一接触物开口，穿透该层间介电层与该绝缘层的一部，露出该主动层的一部，其中该接触物开口包括一第一凹口部，而该第一凹口部由该层间介电层的一底面、该绝缘层的一侧壁以及该主动层的一顶面所定义而成；以及一导电层，填入该接触开口，并与该主动层电连接。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示装置，且特别是涉及用于显示装置的一种阵列基板结构及接触结构。
技术介绍
为了实现高速影像处理以及高品质显示影像，近年来如彩色液晶显示装置的平面显示器已广泛地使用。在液晶显示装置中，通常包括两个上、下基板，以黏合或是封合材料接合在一起。而液晶材料被填入两个基板之间，为了保持两板之间固定的距离，具有一定粒径的颗粒被散布于上述两板之间。通常，下基板表面形成有用来当作开关元件的薄膜晶体管，此薄膜晶体管具有连接于扫描线(scanning line)的栅极电极(gate electrode)、连接于信号线(signalline)的漏极电极(drain electrode)、与连接于像素电极(pixel electrode)的源极电极(source electrode)。而上基板置于下基板上方，此上基板表面形成有一滤光片与多个遮光材料(如由树脂黑矩阵(Resin BM)构成)。此两基板的周边具有封合材料黏合固定住，而两基板之间具有液晶材料。下基板亦称之为阵列基板(array substrate),而形成于其上的如薄膜晶体管、接触物等数个元件则通常通过数道光刻制作工艺所制作而成。然而，随着显示装置的影像的分辨率的提升趋势，便需要于下基板上形成如薄膜晶体管、接触物等尺寸更为缩减的数个元件时，提供可维持或提升显示装置的电性表现的如基板结构与接触物结构等元件结构。
技术实现思路
为解决上述问题，依据一实施例，本专利技术提供了一种接触结构，包括:一基板；一主动层，位于该基板上；一绝缘层，位于该主动层上；一层间介电层，位于该绝缘层上；一接触物开口，穿透该层间介电层与该绝缘层的一部，露出该主动层的一部，其中该接触物开口包括一第一凹口部，而该第一凹口部由该层间介电层的一底面、该绝缘层的一侧壁以及该主动层的一顶面所定义而成；以及一导电层，填入该接触开口，并与该主动层电连接。依据另一实施例，本专利技术提供了一种接触结构，包括:一基板；一绝缘层，位于该基板上；一主动层，位于该绝缘层的一部上；一第一层间介电层，位于该主动层上;一第二层间介电层，位于该第一层间介电层与该绝缘层上；一接触开口，穿透该第二层间介电层与该第一层间介电层的一部，露出该主动层的一部，其中该接触开口包括一第一凹口部，而该第一凹口部由该层间介电层的一底面、该绝缘层的一侧壁以及该主动层的一顶面所定义而成；以及一导电层，填入该接触开口，并与该主动层电连接。依据又一实施例，本专利技术提供了一种阵列基板结构，包括:一基板；一主动层，位于该基板的一部上；一绝缘层，位于该主动层与该缓冲层上；一第一导电层，位于该绝缘层上且位于该主动层的一部上；一层间介电层，设置于该第一导电层与该绝缘层上；一接触开口，穿透该层间介电层与该绝缘层的一部，露出该主动层的一部，其中该接触开口包括一第一凹口部，而该第一凹口部由该层间介电层的一底面、该绝缘层的一侧壁以及该主动层的一顶面所定义而成；以及一第二导电层，填入该接触开口，并与该主动层电连接。依据另一实施例，本专利技术提供了一种阵列基板结构，包括:一基板；一第一导电层，位于该基板的一部上；一绝缘层，位于该第一导电层上；一主动层，位于该绝缘层的一部上并位于该第一导电层之上；一第一层间介电层，设置于该主动层上；一第二层间介电层，设置于该第一层间介电层与该绝缘层上；一接触开口，穿透第二该层间介电层与该第一层间介电层的一部，露出该主动层的一部，其中该接触开口包括一主体部与一第一凹口部，而该第一凹口部由该第二层间介电层的一底面、该第一层间介电层的一侧壁以及该主动层的一顶面所定义而成；以及一第二导电层，填入该接触开口，并与该主动层电连接。为让本专利技术的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。【附图说明】图1为一剖面7K意图，显7K了依据本专利技术的一实施例的一种阵列基板结构；图2A-图2D为一系列剖面τκ意图，显τκ了依据本专利技术的一实施例的一种阵列基板结构的制造方法；图3A-图3C为一系列剖面7K意图，显7K了依据本专利技术的另一实施例的一种阵列基板结构的制造方法；图4A-图4D为一系列剖面7K意图，显7K了依据本专利技术的又一实施例的一种阵列基板结构的制造方法；以及图5A-图5C为一系列剖面7K意图，显7K了依据本专利技术的另一实施例的一种阵列基板结构的制造方法。符号说明100?基板102?缓冲层104?主动层(有源层)104A?源极/漏极区104B?通道区106?绝缘层108?第一导电层110?层间介电层112?接触开口114?第二导电层200、300 ?基板202、302 ?缓冲层204、308 ?主动层204A、308A?源极/漏极区204B、308B ?通道区206、306 ?绝缘层208、304 ?导电层210、310、312?层间介电层212、314 ?开口212，、314，?开口214、316?蚀刻制作工艺216、318 ?凹口217、330 ?凹口218、218，、320、320，?接触开口220、322 ?导电层A、B、C、D、E?阵列基板结构X1、X3?第一距离X2、X4 ?第二距离。【具体实施方式】请参照图1，显示了依据本专利技术的一实施例的阵列基板结构A的剖视图，其适用于如彩色液晶显示装置的平面型显示装置的应用。在此，图1所示的阵列基板结构A为本案专利技术人所知悉的一种阵列基板结构，并通过其说明随着形成于阵列基板结构上的如薄膜晶体管、接触物等元件的尺寸缩减趋势时，专利技术人所发现的如接触电阻值增加的不期望的电性表现的产生情形。请参照图1,阵列基板结构A主要包括:一基板100 缓冲层102,设置于基板100上；一主动层104，设置于缓冲层102的一部上；一绝缘层106，设置于主动层104与缓冲层102上；一导电层108，设置于绝缘层106上且位于主动层104的一部上；一层间介电层110，设置于第一导电层108与绝缘层106上；一接触开口 112，穿透层间介电层110与绝缘层106的一部，露出主动层104的一部；以及另一导电层114，顺应地设置于层间介电层110的一部上以及为接触开口 112所露出的层间介电层110、绝缘层102与主动层104之上。于本实施例中，导电层108、绝缘层106与主动层104形成了一薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)，而主动层104可包括如非晶硅、多晶硅或金属氧化物的半导体材料，且其内包括了掺杂有适当掺质的一对源极/漏极区104A以及设置于其间的未经掺杂的一通道区104B。如图1所示，接触开口 112通过如干蚀刻的一蚀刻制作工艺所形成，而形成于接触开口 112内的导电层114则作为电性连接此薄膜晶体管元件内的一源极/漏极区104A与后续形成的一导电元件(未显示)的一导电接触物(conductive contact)之用。然而，随着形成于此阵列基板结构当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种接触结构，包括:基板；主动层，位于该基板上；绝缘层，位于该主动层上；层间介电层，位于该绝缘层上；接触开口，穿透该层间介电层与该绝缘层的一部，露出该主动层的一部，其中该接触开口包括第一凹口部，而该第一凹口部由该层间介电层的一底面、该绝缘层的一侧壁以及该主动层的一顶面所定义而成；以及导电层，填入该接触开口，并与该主动层电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘侑宗，颜崇纹，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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