阵列基板及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及液晶显示面板，阵列基板包括基板；第一金属层包括薄膜晶体管的栅极和扫描线，设置于基板表面上；第一绝缘层设置于第一金属层上；第二金属层包括薄膜晶体管的源极、漏极以及数据线，设置于第一绝缘层上；半导体层包括间隔设置的第一及第二半导体区，设置于第一绝缘层与第二金属层之间，第一半导体区用于导电，第二半导体区用于将第二金属层垫高；第二绝缘层设置于第二金属层上；像素电极层包括像素电极及公共电极，设置于第二绝缘层上；每一接触孔对应设置在第二半导体区上方且贯穿第二绝缘层，像素电极层通过接触孔与第二金属层导通，以此实现将接触孔的深度减小，降低因接触孔的深度过大导致的不良发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示
，特别涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
技术介绍
目前的薄膜晶体管液晶显示面板行业中的在阵列基板上制造滤光膜(ColorFilter On Array,C0A)的技术可以提高液晶显示面板的开口率，提升薄膜晶体管显示的品质，但由于滤光膜光阻设置在阵列基板上且介于保护层中间，导致接触孔200需要跨过滤光膜色阻才能与信号线相连接(如图1所示)，以达到显示的目的，由于接触孔200需要跨过色阻，使得接触孔的深度大大增加，增加了制程的困难，而且容易导致不良的发生，降低了广品的良率。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及液晶显示面板，以将接触孔的深度减小，降低因接触孔的深度过大导致的不良发生。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板，包括:一基板；—第一金属层，所述第一金属层设置于所述基板表面上；所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极和扫描线；—第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述第一金属层上，用于隔离所述第一金属层和一第二金属层；所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上；所述第二金属层包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及数据线；一半导体层，所述半导体层设置于所述第一绝缘层与所述第二金属层之间，所述半导体层包括间隔设置的第一半导体区和第二半导体区，其中所述第一半导体区用于导电，所述第二半导体区用于将所述第二金属层垫高；一第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第二金属层上，用于隔离所述第二金属层和一像素电极层；所述像素电极层设置于所述第二绝缘层上；所述像素电极层包括像素电极及公共电极 '及若干接触孔，每一接触孔对应设置在所述第二半导体区上方且贯穿所述第二绝缘层以显露所述第二金属层，所述像素电极层通过所述接触孔与所述第二金属层导通。其中，所述第二绝缘层与所述像素电极层之间设置有色阻层及第三绝缘层，所述色阻层设置于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层设置于所述色阻层与所述像素电极层之间，所述接触孔贯穿所述第三绝缘层、所述色阻层及所述第二绝缘层，所述像素电极层延伸覆盖在所述接触孔内壁上以与所述第二金属层导通。其中，所述第二半导体区的厚度大于所述第一半导体区的厚度。其中，所述像素电极层包括掺锡氧化铟材料；所述第一绝缘层包括G-Sinx材料；所述第二及第三绝缘层均包括氮化硅材料；所述半导体层包括a-Si材料，所述色阻层为彩色光阻层。其中，所述每一接触孔的开口自底面到顶面逐渐变宽。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种液晶显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括:—基板；—第一金属层，所述第一金属层设置于所述基板表面上；所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极和扫描线；一第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述第一金属层上，用于隔离所述第一金属层和一第二金属层；所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上；所述第二金属层包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及数据线；—半导体层，所述半导体层设置于所述第一绝缘层与所述第二金属层之间，所述半导体层包括间隔设置的第一半导体区和第二半导体区，其中所述第一半导体区用于导电，所述第二半导体区用于将所述第二金属层垫高；—第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第二金属层上，用于隔离所述第二金属层和一像素电极层；所述像素电极层设置于所述第二绝缘层上；所述像素电极层包括像素电极及公共电极 '及若干接触孔，每一接触孔对应设置在所述第二半导体区上方且贯穿所述第二绝缘层以显露所述第二金属层，所述像素电极层通过所述接触孔与所述第二金属层导通。其中，所述第二绝缘层与所述像素电极层之间设置有色阻层及第三绝缘层，所述色阻层设置于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层设置于所述色阻层与所述像素电极层之间，所述接触孔贯穿所述第三绝缘层、所述色阻层及所述第二绝缘层，所述像素电极层延伸覆盖在所述接触孔内壁上以与所述第二金属层导通。其中，所述第二半导体区的厚度大于所述第一半导体区的厚度。其中，所述像素电极层包括掺锡氧化铟材料；所述第一绝缘层包括G-Sinx材料；所述第二及第三绝缘层均包括氮化硅材料；所述半导体层包括a-Si材料，所述色阻层为彩色光阻层。其中，所述每一接触孔的开口自底面到顶面逐渐变宽。本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本专利技术的所述阵列基板及包括所述阵列基板的液晶显示面板中通过在对应所述接触孔的位置处设置半导体层，从而使得所述半导体层将设置在所述接触孔下方的第二金属层垫高，进而使得所述接触孔不用设置过大的深度即可与所述第二金属层导通，以此实现将接触孔的深度减小，降低因接触孔的深度过大导致的不良发生。【附图说明】图1是现有技术的阵列基板的剖面结构示意图；图2是本专利技术的阵列基板的剖面结构示意图；图3是本专利技术的阵列基板的另一种实施方式的剖面结构示意图；图4是本专利技术的液晶显示面板的剖面结构示意图。【具体实施方式】请参阅图2，是本专利技术的阵列基板1的剖面结构示意图。所述阵列基板1包括:一基板100 ;—第一金属层101，所述第一金属层101设置于所述基板100表面上；一第一绝缘层102，所述第一绝缘层102设置于所述第一金属层101上，用于隔离所述第一金属层101和一第二金属层104 ;所述第二金属层104设置于所述第一绝缘层102上；一半导体层103，所述半导体层103设置于所述第一绝缘层102与所述第二金属层104之间，所述半导体层103包括间隔设置的第一半导体区1031和第二半导体区1032，其中所述第一半导体区1031用于导电，所述第二半导体区1032用于将所述第二金属层垫高；一第二绝缘层105，所述第二绝缘层105设置于所述第二金属层104上，用于隔离所述第二金属层104和一色阻层106 ;所述色阻层106设置于所述第二绝缘层105上；所述第三绝缘层107设置于所述色阻层106与所述像素电极层108之间，用于隔离所述色阻层106和所述像素电极层108 ;若干接触孔200，每一接触孔200对应设置在所述第二半导体区1032上方且贯穿所述第三绝缘层107、所述色阻层106及所述第二绝缘层105以显露所述第二金属层104，所述像素电极层108通过所述接触孔200与所述第二金属层104导通。在本专利技术实施例中，在所述基板100表面上沉积所述第一金属层101，并接着利用黄光及蚀刻工艺形成所述第一金属层101的图样，其中所述第一金属层101的图样包括薄膜晶体管的栅极和扫描线。当所述像素电极层108中的公共电极与所述第一金属层101作为存储电容时，所述第一金属层101的图样还包括公共线，所述公共线与所述公共电极形成存储电容。在本专利技术实施例中，溅射沉积所述第二金属层104后，并接着利用黄光及蚀刻工艺形成所述第二金属层104的图样，其中，所述第二金属层104的图样包括薄膜晶体管的源极、薄膜当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：一基板；一第一金属层，所述第一金属层设置于所述基板表面上；所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极和扫描线；一第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述第一金属层上，用于隔离所述第一金属层和一第二金属层；所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上；所述第二金属层包括所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及数据线；一半导体层，所述半导体层设置于所述第一绝缘层与所述第二金属层之间，所述半导体层包括间隔设置的第一半导体区和第二半导体区，其中所述第一半导体区用于导电，所述第二半导体区用于将所述第二金属层垫高；一第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第二金属层上，用于隔离所述第二金属层和一像素电极层；所述像素电极层设置于所述第二绝缘层上；所述像素电极层包括像素电极及公共电极；及若干接触孔，每一接触孔对应设置在所述第二半导体区上方且贯穿所述第二绝缘层以显露所述第二金属层，所述像素电极层通过所述接触孔与所述第二金属层导通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高冬子，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44