晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供一种晶片的加工方法，能够在不使一个个器件的周缘产生裂纹的情况下除去侧面的变质层。所述晶片的加工方法包含以下工序：晶片磨削工序，对晶片的背面进行磨削，使晶片的厚度形成为预定厚度；变质层形成工序，从晶片的背面侧沿间隔道照射相对于晶片具有透射性的激光光线，在晶片的内部沿间隔道形成距离晶片的表面如下深度的变质层，所述深度大于器件的完成厚度；晶片分割工序，对晶片施加外力，沿着形成有变质层的间隔道将晶片分割成一个个器件；以及变质层除去工序，对晶片的背面进行磨削，使晶片形成为器件的完成厚度，由此将变质层除去，变质层除去工序使用通过利用陶瓷结合剂固定粒径为0.5μm～7μm的金刚石磨粒而形成的磨削磨具来实施。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种将晶片沿间隔道分割成一个个器件的，所述晶片在表面通过呈格子状地形成的间隔道划分出多个区域、并且在该多个区域中形成有器件。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面，通过呈格子状地排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域中形成 ICdntegrated Circuit :集成电路)、LSI (Large Scale Integration :大规模集成电路) 等器件。然后，通过沿着间隔道将半导体晶片切断而将形成有器件的区域分割开来，从而制造出一个个器件。此外，关于在蓝宝石基板或碳化硅基板的表面上层叠有氮化镓类化合物半导体等的光器件晶片，也通过沿着间隔道进行切断而分割成一个个发光二极管、激光二极管等光器件，并广泛地应用于电气设备。作为沿着间隔道分割晶片的方法，尝试了如下的激光加工方法使用相对于晶片具有透射性的脉冲激光光线，将聚光点对准应当分割的区域的内部地照射脉冲激光光线。 在使用了该激光加工方法的分割方法中，从晶片的一个面侧将聚光点对准晶片内部地沿着间隔道照射脉冲激光光线，该脉冲激光光线的波长为相对于晶片具有透射性的波长，从而沿着间隔道在晶片的内部连续地形成变质层，沿着通过形成该变质层而强度降低的间隔道施加外力，由此将晶片分割成一个个器件(例如，参照专利文献1)。然而，在利用上述专利文献1所记载的分割方法分割出的一个个器件的侧面残存有变质层，因此存在器件的抗弯强度下降而使器件的品质下降的问题。特别地，在光器件中，如果在侧面残存有变质层，则还存在光器件发出的光被变质的部分吸收而亮度下降的问题。为了消除这种问题，提出有如下所述的沿着间隔道照射相对于晶片具有透射性的激光光线，由此从晶片的背面形成预定厚度的变质层，在沿着形成有变质层的间隔道将晶片分割之后，对晶片的背面进行磨削从而将变质层除去(例如参照专利文献2)。专利文献1 日本特许第3408805号公报专利文献2 日本特开2005-86161号公报如果像上述专利文献2所公开的那样利用磨削磨具对已经分割成一个个器件的晶片的背面进行磨削，则存在由于磨具对分割后的器件的周缘作用的冲击力而导致在器件的周缘产生裂纹从而损伤器件的情况。此外，在下述情况下也会产生同样的问题通过对由石英形成的晶片如上所述地沿着间隔道照射相对于晶片具有透射性的波长的激光光线，来从晶片的背面形成预定厚度的变质层，在沿着形成有变质层的间隔道将晶片分割之后，对晶片的背面进行磨削从而将变质层除去，由此来制造盖玻片(cover glass)ο
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述事实而完成的，本专利技术的主要技术课题在于提供一种能够在不使一个个器件的周缘产生裂纹的情况下将侧面的变质层除去的。为了解决上述主要技术课题，根据本专利技术，提供一种，在该中，沿着间隔道分割晶片，所述晶片在表面通过呈格子状地形成的间隔道划分出多个区域，并且在所述多个区域中形成有器件，所述的特征在于，所述包含以下工序晶片磨削工序，在该晶片磨削工序中，对晶片的背面进行磨削， 从而使晶片的厚度形成为预定的厚度；变质层形成工序，在该变质层形成工序中，从实施了所述晶片磨削工序后的晶片的背面侧沿着间隔道照射相对于晶片具有透射性的激光光线， 在晶片的内部沿着间隔道形成距离晶片的表面如下深度的变质层，所述深度大于器件的完成厚度；晶片分割工序，在该晶片分割工序中，对实施了所述变质层形成工序后的晶片施加外力，沿着形成有变质层的间隔道将晶片分割成一个个器件；以及变质层除去工序，在该变质层除去工序中，对实施了所述晶片分割工序后的晶片的背面进行磨削，使晶片形成为器件的完成厚度，由此将变质层除去，所述变质层除去工序使用如下的磨削磨具来实施该磨削磨具通过利用陶瓷结合剂对粒径为0. 5 μ m 7 μ m的金刚石磨粒进行固定而形成。在本专利技术中，变质层除去工序使用如下的磨削磨具来实施该磨削磨具通过利用陶瓷结合剂对粒径为0. 5 μ m 7 μ m的金刚石磨粒进行固定而形成，其中，在所述变质层除去工序中，对实施了分割工序的晶片的背面进行磨削，使晶片形成为器件的完成厚度，由此将变质层除去，而在所述分割工序中，沿着形成有变质层的间隔道将晶片分割成一个个器件，因此，即便晶片被分割成了一个个器件，由于磨具对被分割开的器件的周缘作用的冲击力小，因此不会在器件产生裂纹。附图说明图1是示出作为晶片的半导体晶片的立体图和主要部分放大剖视图。图2是示出图1所示的半导体晶片的表面粘贴在装配于环状框架的切割带的状态的立体图。图3是本专利技术所涉及的中的晶片磨削工序的说明图。图4是用于实施本专利技术所涉及的中的变质层形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。图5是本专利技术所涉及的光器件中的变质层形成工序的说明图。图6是用于实施本专利技术所涉及的中的晶片分割工序的分割装置的立体图。图7是本专利技术所涉及的中的晶片分割工序的说明图。图8是本专利技术所涉及的中的变质层除去工序的说明图。图9是将实施了本专利技术所涉及的中的变质层除去工序后的半导体晶片的主要部分放大示出的剖视图。图10是本专利技术所涉及的中的晶片转移工序的说明图。图11是用于实施本专利技术所涉及的中的拾取工序的拾取装置的立体图。图12是本专利技术所涉及的中的拾取工序的说明图。标号说明2 半导体晶片；20 娃基板；21 器件层；3 磨削装置；31 磨削装置的卡盘工作台；32 磨轮；321 磨削磨具；4 激光加工装置；41 激光加工装置的卡盘工作台；42 激光光线照射构件；5 晶片分割装置；56 张力施加构件；7 拾取装置；F 环状框架；T 切割带。具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术所涉及的的优选实施方式进行详细地说明。图1表示利用本专利技术所涉及的来进行加工的作为晶片的半导体晶片的立体图以及将该晶片的主要部分放大示出的剖视图。图1的(a)和(b)所示的半导体晶片2由硅晶片构成，例如在厚度为600 μ m的硅基板20的表面利用器件层21呈矩阵状地形成有多个IC、LSI等器件22，所述器件层21由绝缘膜和用于形成电路的功能膜层叠而成。并且，各个器件22由形成为格子状的间隔道23划分开来。器件层21的厚度例如形成为10 μ m。以下，对沿着间隔道23将该半导体晶片2分割成一个个器件22的加工方法进行说明。首先，为了保护形成于半导体晶片的表面的器件，实施在半导体晶片的表面粘贴保护部件的保护部件粘贴工序。即，如图2所示，将半导体晶片2的表面加粘贴在作为保护部件的切割带T的表面，该切割带T装配于由金属材料形成的环状框架F。另外，在图示的实施方式中，上述切割带T形成为在厚度为IOOym的由聚氯乙烯(PVC)形成的片状基材的表面涂布有厚度为大约5 μ m的丙烯酸树脂类的浆糊。该浆糊使用具有通过照射紫外线而粘接力下降的性质的浆糊。在通过实施上述的保护部件粘贴工序而将半导体晶片2的表面加粘贴在装配于环状框架F的切割带T上之后，实施对晶片的背面进行磨削以使晶片的厚度形成为预定厚度的晶片磨削工序。该晶片磨削工序使用图3所示的磨削装置3来实施。图3所示的磨削装置3具备卡盘工作台31和磨轮32，所述卡盘工作台31用于保持被加工物，所述磨轮32 具备用于对保持于该卡盘工作台31的被加工物进行磨削的磨削磨具321。另外，卡盘工作台31的用于保持本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶片的加工方法，在该晶片的加工方法中，沿着间隔道分割晶片，所述晶片在表面通过呈格子状地形成的间隔道划分出多个区域，并且在所述多个区域中形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，所述晶片的加工方法包含以下工序：晶片磨削工序，在该晶片磨削工序中，对晶片的背面进行磨削，从而使晶片的厚度形成为预定的厚度；变质层形成工序，在该变质层形成工序中，从实施了所述晶片磨削工序后的晶片的背面侧沿着间隔道照射相对于晶片具有透射性的激光光线，在晶片的内部沿着间隔道形成距离晶片的表面如下深度的变质层，所述深度大于器件的完成厚度；晶片分割工序，在该晶片分割工序中，对实施了所述变质层形成工序后的晶片施加外力，沿着形成有变质层的间隔道将晶片分割成一个个器件；以及变质层除去工序，在该变质层除去工序中，对实施了所述晶片分割工序后的晶片的背面进行磨削，使晶片形成为器件的完成厚度，由此将变质层除去，所述变质层除去工序使用如下的磨削磨具来实施：该磨削磨具通过利用陶瓷结合剂对粒径为０．５μｍ～７μｍ的金刚石磨粒进行固定而形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜，汤平泰吉，小清水秀辉，竹下元，三原拓也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP