【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及形成该金属化以对从半导体晶片的前面到背面穿过该 半导体晶片的金属化连线。该金属化用于在三维集成电路中使用的 上级半导体晶片。下面，本专利技术的实施方式的操作主要是以对在堆栈晶片 三维集成电路中使用的半导体晶片的处理为背景讨论的。更准确地 说，本专利技术的实施方式的操作是以对三维硅集成电路的硅晶片的处 理为背景讨论的。然而，应当理解，本专利技术的实施方式可以被用于 其它的半导体器件及其它半导体晶片。在下面对附图的描述中，使用同样的参考标号代表所有 附图共有的大体上相同的元件或步骤。现在参考附图说明图1、图1A和图1B,其中显示了^^皮配置为处理 晶片24以用于三维集成电路制造的系统20的横截面侧视图。系统20 包4舌工艺室30、晶片夹具35和真空泵40。工艺室30大体上可以是通常用于处理半导体晶片以进行 集成电路金属化的任何类型的工艺室。工艺室30的合适的类型的工 艺室的实施例是化学气相沉积室、低k化学气相沉积室、大气压化 学气相沉积室、原子层沉积室、等离子体增强化学气相沉积室、无 电-沉积室和电学沉4只室。换句话i兌，工艺室3(H皮配置为完成用...
【技术保护点】
一种用于处理制造三维集成电路的晶片的系统，该系统包含： 被配置为在亚大气压下处理该晶片的工艺室； 设置于该工艺室内的晶片夹具，该晶片夹具包含大体上刚性的本体，该本体被配置，以提供实在的平面，以与该半导体晶片的背面接触；该晶片夹具 具有与该平面流体连通的流体流动沟道；以及 与该流体流动沟道连接的真空泵，被配置为在该半导体晶片的正面和背面之间产生压力差。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：李时健，弗里茨雷德克，耶兹迪多尔迪，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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