非易失性半导体存储器及其驱动方法技术

本发明专利技术的课题为提供一种非易失性半导体存储器，其由利用了避免写入速度和读取速度的下降的岛状半导体层的侧壁的存储单元构成。为了解决上述课题，上述非易失性半导体存储器在半导体衬底上形成岛状半导体层，该岛状半导体层具有下列构成而组成非易失性半导体存储单元，即：漏极扩散层，其形成于岛状半导体层上部；源极扩散层，其形成于岛状半导体层下部；电荷蓄积层，其隔着栅极绝缘膜而形成于夹置在漏极扩散层和源极扩散层的侧壁的沟道区域上；以及控制栅极，其形成于电荷蓄积层上。将该非易失性半导体存储单元以阵列状排列且将连接于漏极扩散层的比特线布线于列方向，将控制栅极线布线于行方向，将连接于源极扩散层的源极线布线于列方向，其中，上述非易失性半导体存储器是按每规定数的控制栅极线形成连接于源极线的共用源极线，该共用源极线由金属形成，将该共用源极线布线于行方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
提出了 一种由如下那样的存储单元构成的快闪存储器(例如，参照专利文献l以及非专利文献l):能够以较小的衬底占有 面积充分确保电荷蓄积层和控制栅极之间的电容量，且具有优 异的写入、擦除效率，并在形成于半导体衬底的表面的岛状半 导体层的侧壁具有以围绕岛状半导体层的方式形成的电荷蓄积 层和控制栅极。在上述快闪存储器中，利用热电子而向电荷蓄积层注入电 荷。将由于该电荷蓄积层的电荷蓄积状态的差异而引起的阈值 电压的差异存储为数据"0"、 "1"。例如，在电荷蓄积层使用浮 置(浮遊)栅极的N沟道的存储单元的情况下，为了向浮置栅极注 入电荷，而向控制栅极和漏极扩散层提供高电压，并将源极扩 散层和半导体衬底接地。此时，利用源极/漏极间的电压而提高 半导体衬底的电子的能量，使其越过沟道氧化膜的能量势垒(障 壁)而注入至电荷蓄积层。通过该电荷注入而4吏存4诸单元的阚值 电压往正方向移动。流过源才及/漏^l间的电流中，注入至电荷蓄 积层的比率较小。因此，写入所需的电流为每单元100pA的量 级。另夕卜，在NOR型快闪存储器中，读取时所流过的电流是30iiA 程度。由利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性半导体存储器，其中，从衬底侧顺次形成源极区域、沟道区域以及漏极区域并具有隔着栅极绝缘膜而形成于所述沟道区域的外侧的电荷蓄积层以及隔着绝缘层以覆盖该电荷蓄积层的方式形成于该电荷蓄积层的外侧的控制栅极的存储单元，以ｎ行ｍ列的阵列状配置于所述衬底上，　该非易失性半导体存储器包含有下列布线而构成，且使用热电子注入进行向电荷蓄积层的电荷注入，即：　多条源极线，其以将排列于所述阵列的列方向的存储单元的源极区域相互连接的方式布线于列方向；　多条平行的比特线，其以将排列于所述列方向的存储单元的漏极区域相互连接的方式布线于列方向；以及　多条栅极线，其以将排列于与所述列方向实质上垂直的行方向的存储单元...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：舛冈富士雄，中村广记，
申请(专利权)人：日本优尼山帝斯电子股份有限公司，国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：JP[日本]