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本发明的课题为提供一种非易失性半导体存储器，其由利用了避免写入速度和读取速度的下降的岛状半导体层的侧壁的存储单元构成。为了解决上述课题，上述非易失性半导体存储器在半导体衬底上形成岛状半导体层，该岛状半导体层具有下列构成而组成非易失性半导体存...该专利属于日本优尼山帝斯电子股份有限公司;国立大学法人东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过日本优尼山帝斯电子股份有限公司;国立大学法人东北大学授权不得商用。