固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法，提供一种减少读出沟道的面积，且受光部（光电二极管）的表面积相对于一像素的面积的比例较大的ＣＣＤ固体摄像元件。提供一种固体摄像元件，其特征在于，包括：第１导电型半导体层；形成在第１导电型半导体层上的第１导电型柱状半导体层；形成在第１导电型柱状半导体层的上部，且电荷量根据受光的不同而变化的第２导电型光电转换区域；以及与第１导电型柱状半导体的上端隔着规定间隔而形成在第２导电型光电转换区域的表面的第１导电型高浓度杂质区域，在第１导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极，在传送电极的下方形成有第２导电型ＣＣＤ沟道区域，在第２导电型光电转换区域与第２导电型ＣＣＤ沟道区域所夹着的区域形成有读出沟道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种固体摄像元件，其特征在于，包括：　第１导电型半导体层；　形成在上述第１导电型半导体层上的第１导电型柱状半导体层；　形成在上述第１导电型柱状半导体层的上部，且电荷量根据受光的不同而变化的第２导电型光电转换区域；　与 上述第１导电型柱状半导体层的上端隔着规定间隔而形成在上述第２导电型光电转换区域的表面的第１导电型高浓度杂质区域，　在上述第１导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极，　在上述传送电极的下方形成有第２导电型ＣＣＤ沟道 区域，　在上述第２导电型光电转换区域与上述第２导电型ＣＣＤ沟道区域所夹着的区域形成有...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：舛冈富士雄，中村广记，
申请(专利权)人：日本优尼山帝斯电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]