光刻工艺中精确对准的校正模型制造技术

本发明专利技术公开了一种光刻工艺中精确对准的校正模型，直接测量得到多晶硅栅对准浅槽隔离的第一层套准数据与接触孔对准多晶硅栅的第二层套准数据；第一层套准数据与第二层套准数据进行矢量相加得到接触孔对准浅槽隔离的第三层套准数据；由所述第三层套准数据计算得到第三层最大横向套准偏移量和第三层最大纵向套准偏移量；当所述第三层最大横向套准偏移量或第三层最大纵向套准偏移量大于套准容差时，系统会自动防止产品流向下工程。本发明专利技术保证了产品质量、提高了产品良率、提升了经济效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造领域光刻工艺方法，特别是涉及一种光刻工艺中精 确对准的校正模型。
技术介绍
如图1、图2所示，在现有半导体制造中，多数产品都含有浅槽隔离、多晶硅 栅、接触孔三层结构，这三层间精确对准对保证产品质量、提高产品良率非常重要。所 述三层间精确对准是依靠其光刻工艺中掩膜版上放置的对准标记。在现有含有这种结构 的大多数产品中，放置有多晶硅栅对准浅槽隔离的标记、接触孔对准多晶硅栅的标记， 但是没有放置接触孔对准浅槽隔离标记。现有技术能够直接测出多晶硅栅对准浅槽隔离 的套准精度、接触孔对准多晶硅栅的套准精度，通过使所述两个套准精度小于其对应的 套准容差，就能控制所述多晶硅栅与浅槽隔离间、接触孔与多晶硅栅间的对准质量。所 述套准精度在图中以实线箭头表示，所述套准容差在图中用两侧的竖直虚线表示，中间 的竖直虚线表示对准中心位置。如图3所示，由于没有放置接触孔对准浅槽隔离标记，不能直接测量接触孔对 准浅槽隔离的套准精度。所述接触孔对准浅槽隔离的套准精度在图中以虚线箭头表示。 这样就不能保证接触孔与浅槽隔离间的对准质量。即使所述多晶硅栅与浅槽隔离间、接 触孔与多晶硅栅间的套准精度小于套准容差，也存在一定几率的接触孔与浅槽隔离的套 准精度超出套准容差的情况，这就产生了一定几率的产品不良率。这种不良率具有随机 性，对同类产品其值是固定的，如现有电可擦可编程只读存储器产品的经验数据显示， 其随机不良率约为5%。要保证接触孔和浅槽隔离间的套准精度，从而保证产品质量、提高良率，有一 种方法是通过修改掩膜版，增加放置接触孔对准浅槽隔离的标记，使得接触孔和浅槽隔 离直接对准。但是这种方法产生的费用相对巨大，提高了生产成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种光刻工艺中精确对准的校正模型，能够 准确得到接触孔对准浅槽隔离的套准数据，有利于控制接触孔对准浅槽隔离的套准精 度，提高产品良率。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种了光刻工艺中精确对准的校正模型，直 接测量得到多晶硅栅对准浅槽隔离的第一层套准数据，所述第一层套准数据包括分量 第一层硅片横向偏移量、第一层硅片纵向偏移量、第一层硅片横向放大倍率、第一层硅 片纵向放大倍率、第一层硅片正交角度、第一层硅片旋转角度、第一层掩模版横向放大 倍率、第一层掩模版纵向放大倍率、第一层掩模版旋转角度；直接测量得到接触孔对准 多晶硅栅的第二层套准数据，所述第二层套准数据包括分量第二层硅片横向偏移量、 第二层硅片纵向偏移量、第二层硅片横向放大倍率、第二层硅片纵向放大倍率、第二层硅片正交角度、第二层硅片旋转角度、第二层掩模版横向放大倍率、第二层掩模版纵向 放大倍率、第二层掩模版旋转角度；将所述第一层套准数据和所述第二层套准数据的各 分量进行矢量相加，得到接触孔对准浅槽隔离的第三层套准数据，该第三层套准数据包 括分量第三层硅片横向偏移量、第三层硅片纵向偏移量、第三层硅片横向放大倍率、 第三层硅片纵向放大倍率、第三层硅片正交角度、第三层硅片旋转角度、第三层掩模版 横向放大倍率、第三层掩模版纵向放大倍率、第三层掩模版旋转角度。本专利技术的有益效果为在没有专利技术此项技术之前，电可擦可编程只读存储器产 品会出现随机每片约5%不良率；本专利技术能有效控制接触孔与浅槽隔离间的套准精度， 一旦产品的套准精度超出规格即其最大套准偏移量大于所设定的套准容差，则超标产品 将全部返工，这样消除了随机不良率，提高了产品良率。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1是现有技术多晶硅栅对准浅槽隔离示意图；图2是现有技术接触孔对准多晶硅栅示意图；图3是现有技术不良接触孔对准浅槽隔离示意图；图4是本专利技术接触孔对准浅槽隔离示意图；图5是本专利技术套准数据各分量示意图一；图6是本专利技术套准数据各分量示意图二。具体实施例方式如图4所示，其中下层的箭头实线表示多晶硅栅对准浅槽隔离的第一层套准数 据，为直接测量得到，所述第一层套准数据包括分量第一层硅片横向偏移量、第一层 硅片纵向偏移量、第一层硅片横向放大倍率、第一层硅片纵向放大倍率、第一层硅片正 交角度、第一层硅片旋转角度、第一层掩模版横向放大倍率、第一层掩模版纵向放大倍 率、第一层掩模版旋转角度。图4上层的箭头实线表示接触孔对准多晶硅栅的第二层套准数据，为直接测量 得到，所述第二层套准数据包括分量第二层硅片横向偏移量、第二层硅片纵向偏移 量、第二层硅片横向放大倍率、第二层硅片纵向放大倍率、第二层硅片正交角度、第二 层硅片旋转角度、第二层掩模版横向放大倍率、第二层掩模版纵向放大倍率、第二层掩 模版旋转角度。图4箭头虚线表示接触孔对准浅槽隔离的第三层套准数据，是通过所述第一层 套准数据和所述第二层套准数据各对应分量做矢量相加得到，该第三层套准数据包括分 量第三层硅片横向偏移量、第三层硅片纵向偏移量、第三层硅片横向放大倍率、第三 层硅片纵向放大倍率、第三层硅片正交角度、第三层硅片旋转角度、第三层掩模版横向 放大倍率、第三层掩模版纵向放大倍率、第三层掩模版旋转角度；所述第三层套准数据 各分量分别为所述第一层套准数据对应各分量和所述第二层套准数据对应各分量的矢量 和。所述第三层套准数据各分量代入如下两个公式，即得到接触孔对准浅槽隔离的第三层最大横向套准偏移量和第三层最大纵向套准偏移量Max—X = ABS (Wafer Offset—χ) +ABS (0.1 *Wafer Scaling—χ)+ABS (0.1 *Wafer Orthogonality) +ABS (0.1 *Wafer Rotation)+ABS (0.01*Reticle Magnification—x)+ABS (0.01*Reticle Rotation),Max_y = ABS (Wafer Offset_y)+ABS (0.1*Wafer Scaling_y)+ABS (0.1 *Wafer Orthogonality)+ABS (0.1 *Wafer Rotation)+ABS (0.01*Reticle Magnification_y)+ABS (0.01*Reticle Rotation),其中，Max—χ表示第三层最大横向套准偏移量、厘狀^表示第三最大纵向套准 偏移量、ABS表示对括号内的参数取绝对值、Wafer Offset—χ表示第三层硅片横向偏移 量、Wafer Scaling—χ表示第三层硅片横向放大倍率、Wafer Offset_y表示第三层硅片纵向 偏移量、Wafer Scaling_y表示第三层硅片纵向放大倍率、Wafer Orthogonality表示第三 层硅片正交角度、Wafer Rotation表示第三层硅片旋转角度、Reticle Magnification—χ表示 第三层掩模版横向放大倍率、Reticle Magnification^表示第三层掩模版纵向放大倍率、 Reticle Rotation表示第三层掩模版旋转角度。所述第三层最大横向套准偏移量或所述第三层最大纵向套准偏移量大于所设定 的套准容差时，系统会自动防止产品流向下工程。对所述超标产品，则按照超标流程全 部重新加工。从而保证了产品质量、提高了产品良率、提升了经济效益。如图5、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻工艺中精确对准的校正模型，直接测量得到多晶硅栅对准浅槽隔离的第层一套准数据，所述第一层套准数据包括分量：第一层硅片横向偏移量、第一层硅片纵向偏移量、第一层硅片横向放大倍率、第一层硅片纵向放大倍率、第一层硅片正交角度、第一层硅片旋转角度、第一层掩模版横向放大倍率、第一层掩模版纵向放大倍率、第一层掩模版旋转角度；直接测量得到接触孔对准多晶硅栅的第二层套准数据，所述第二层套准数据包括分量：第二层硅片横向偏移量、第二层硅片纵向偏移量、第二层硅片横向放大倍率、第二层硅片纵向放大倍率、第二层硅片正交角度、第二层硅片旋转角度、第二层掩模版横向放大倍率、第二层掩模版纵向放大倍率、第二层掩模版旋转角度；其特征在于：将所述第一层套准数据和所述第二层套准数据的各分量分别对应进行矢量相加，得到接触孔对准浅槽隔离的第三层套准数据，该第三层套准数据包括分量：第三层硅片横向偏移量、第三层硅片纵向偏移量、第三层硅片横向放大倍率、第三层硅片纵向放大倍率、第三层硅片正交角度、第三层硅片旋转角度、第三层掩模版横向放大倍率、第三层掩模版纵向放大倍率、第三层掩模版旋转角度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁刘胜，隋建国，王强，蔡亮，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]