半导体发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体发光元件。根据本发明专利技术的半导体发光元件包含一基板、一多层结构以及多个纳米复合结构。该基板具有一上表面及一下表面。该多层结构形成于该基板的上表面上并且包含一发光区。该多层结构具有一顶表面。该多个纳米复合结构中的每一个纳米复合结构包含一第一纳米层以及一第二纳米层。该第一纳米层形成于该多层结构的该顶表面上及／或该基板的该下表面上。该第二纳米层形成于该第一纳米层上。特别地，该第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及——禾中半导体发光元件(semiconductor light—emitting device), 特别地，本专利技术涉及一种具有高度外部量子效率(external quantum efficiency) 的半导体发光元件。
技术介绍
现今半导体发光元件(例如，发光二极体)的应用领域已甚为广泛，例如按键系 统、手机萤幕背光模组、车辆照明系统、装饰用灯饰及遥控领域等产品，皆见到半 导体发光元件被广泛地应用。为了让半导体发光元件尽可能地确保较高的功能可靠 性以及较低的能源消耗，因此对于半导体发光元件皆须要求其本身的外部量子效 率。原则上， 一半导体发光元件的外部量子效率取决于其本身的内部量子效率 (internal quantum efficiency)以及释放效率(extraction efficiency)。所谓的内部量子效率是由半导体发光元件的材料特性及品质所决定。至于释放效率则意谓 着从元件内部发出至周围空气或封装的环氧树脂内的辐射比例。释放效率取决于辐 射离开元件内部时所发生的损耗。造成上述损耗的主要原因之一是由于形成元件的 表面层的半导体材料具有较高的折射率，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，包含：　一基板，该基板具有一上表面及一下表面；　一多层结构，该多层结构形成于该基板的该上表面上并且包含一发光区，该多层结构具有一顶表面；以及　多个纳米复合结构，每一个纳米复合结构包含：　一第一纳米 层，该第一纳米层形成于该多层结构的该顶表面上或该基板的该下表面上；以及　一第二纳米层，该第二纳米层形成于该第一纳米层上；　其中该第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶哲良，徐文庆，何思桦，
申请(专利权)人：昆山中辰硅晶有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]