【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体基板(semiconductor substrate),特别是一种供一半导体光电元件(semiconductor optoelectronic device)磊晶用的半导体基板。
技术介绍
半导体光电元件(例如，发光二极体、光侦测器)能广泛地使用于多种装置，例如，光学显示装置、交通号志、通讯装置以及照明装置。为了让半导体光电元件尽可能地确保较高的功能可靠性以及较低的能源消耗，因此对于半导体光电元件都要求其本身整体的光电效能。在现有技术中，半导体光电元件的半导体材料层与基板之间可通过形成一缓冲层以改善半导体材料层的品质。到目前为止，氮化镓半导体光电元件(例如，发光二极体、光侦测器)的基板大多以蓝宝石基板为主，但是由于氮化镓半导体材料层与蓝宝石基板之间并无优良的晶格匹配(lattice match),致使氮化镓半导体材料层的磊晶品质仍有待改善。因此，氮化镓半导体材料层与蓝宝石基板之间尚欠缺一理想的缓冲层以提高氮化镓半导体材料层的磊晶品质，从而进一步增加半导体光电元件的光电效能。因此，本专利技术的主要目的在于提供一种供一半导体光电元件磊晶用的半...
【技术保护点】
一种供一半导体光电元件磊晶用的半导体基板，该半导体基板包含： 一基板；以及 一氮化物缓冲层，该氮化物缓冲层由一原子层沉积制程、一电浆增强原子层沉积制程或一电浆辅助原子层沉积制程形成于该基板的一上表面上，该缓冲层还能通过原子层沉积 制程和一电浆增强原子层沉积制程或原子层沉积制程和电浆辅助原子层沉积制程的组合制程形成，其中该氮化物缓冲层提高该半导体光电元件中的半导体材料层的磊晶品质。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏璋，徐文庆，何思桦，
申请(专利权)人：昆山中辰硅晶有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]
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