半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体发光元件及其制造方法。根据本发明专利技术的半导体发光元件包含一基板、一缓冲层、一多层结构及一欧姆电极结构。该缓冲层是选择性地形成于该基板的一上表面上，并使该基板的该上表面部分外露。该多层结构是形成以覆盖该缓冲层及该基板的外露的该上表面。该多层结构还包含一发光区。该缓冲层辅助该多层结构的一最底层侧向磊晶及垂直磊晶。该欧姆电极结构是形成于该多层结构上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光元件，特别是涉及一种能够提升外部量子效率及具 有良好的磊晶品质的半导体发光元件。
技术介绍
现今半导体发光元件(例如，发光二极体)的应用领域已甚为广泛，例如照明以 及遥控领域等，皆见到半导体发光元件被广泛地应用。为了让半导体发光元件尽可 能地确保较高的功能可靠性以及较低的能源消耗，因此对于半导体发光元件皆须要 求其本身的外部量子效率(external quantum efficiency)。理论上， 一半导体发光元件的外部量子效率与其本身的内部量子效率 (internal quantum efficiency)及光取出效率(light-extraction efficiency) 有关。所谓的内部量子效率是由材料特性及品质所决定。至于光取出效率则是意谓 着从元件内部发出至周围空气或是封装的环氧树脂内的辐射比例。光取出效率是取 决于当辐射离开元件内部时所发生的损耗。造成上述损耗的主要原因之一由于形成 元件的表面层的半导体材料具有高折射系数(refraction coefficient)，导致光在 该材料表面产生全反射(total reflect ion)而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，包含：　一基板；　一缓冲层，该缓冲层是选择性地形成于该基板的一上表面上并使该基板的该上表面部分外露；　一多层结构，该多层结构的形成覆盖了该缓冲层及该基板外露的该上表面，该多层结构包含一发光区，其中该缓冲 层辅助该多层结构的一最底层侧向磊晶及垂直磊晶；以及　一欧姆电极结构，该欧姆电极结构形成于该多层结构上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏璋，徐文庆，何思桦，
申请(专利权)人：昆山中辰硅晶有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]