【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种制造方法，特别是关于一种制造一硅晶圆的方法。
技术介绍
众所周知，半导体元件的效能深受存在于半导体材料内的杂质浓度影响。以太阳能电池为例，若靠近太阳能电池基板表面(例如，硅晶圆)的金属杂质浓度太高，将影响太阳能电池本身的效能。太阳能电池由于制作方法简便，并且容易被大量生产，因此极具竞争力。硅基材太阳能电池市场中，约有65%的比例属于多晶硅太阳能电池，主要原因如下(1)多晶硅材料对硅原料纯度的要求较单晶材料低；(2)原料较易取得；以及(3)多晶硅材料的长晶效率较高，并且所需的人力、能耗及物料都较单晶材料低。请参阅图1。在现有技术中，在制造用于太阳能电池的硅晶圆14的过程中，需将硅原料倒入石英坩锅中并加热使其成融熔状态。融熔状态的硅原料于冷却后即形成一硅铸锭IO。由于冷却过程系从该硅铸锭10的底部开始，因此会有大量的杂质往该硅铸锭10的顶部偏析并累积于此。由于杂质浓度太高，所以大约10%至20%的该硅铸锭IO必须被去除，造成硅原料被大量地浪费掉。该硅铸锭10被切成复数个硅晶砖12，接着该硅晶砖12即被切成复数个硅晶圆14。然而，这样的硅晶圆14的内...
【技术保护点】
一种硅晶圆（ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｆｅｒ），包含： 一硅切片（ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｌｉｃｅ），该硅切片具有一第一表面；以及 一第一杂质捕集区域（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ ｒｅｇｉｏｎ），该第一杂质捕集区域形成于该硅切片的该第一表面上，并且 由施加于该硅切片的该第一表面的一处理（ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）形成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐文庆，何思桦，王荣宗，许松林，郭华皓，
申请(专利权)人：昆山中辰硅晶有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]
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