【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体基板，特别是涉及一种供太阳能电池用的半导体基板。技术背景太阳能电池因为其将发自一光源(例如，太阳光)的能量转换成电力以供电给例 如=，计算机、电脑、加热器等电子装置，所以太阳能电池已被广泛地使用。到目前为止，硅晶太阳能电池虽为市场主流，但硅源料短缺的问题却日益严重。 因此，为了节省材料及成本，薄型太阳能电池(例如，以薄型硅晶圆为基板的太阳 能电池)的发展已成为一种趋势。同时，为因应薄型太阳能电池的发展，薄型硅晶 圆已被制造出并应用在太阳能电池上。太阳能电池的原理是光子进入硅基材并且由该硅基材吸收，以转移光子的能量 给原为键结状态(共价键)的电子，并且藉此释放原为键结状态的电子成游离的电 子。此种可移动的电子，以及其所遗留下原在共价键处的电洞(此种电洞也是可移 动的)可以造成电流从该太阳能电池流出。为了贡献该电流，上述的电子以及电洞 不可以重新结合，反而是由与硅基材内的p-n接合相关的电场所分离。众所周知，于太阳能电池上形成表面钝化层可以使由光产生的载子(即电子与 电洞)发生表面重合的机率减低。请参阅图1A及图1B，传统的表面钝化层(例...
【技术保护点】
一种供一太阳能电池（ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）用的半导体基板（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓｕｂｓｔｒａｔｅ），该半导体基板包含： 一基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ），该基板具有一上表面；以及 一表面钝化层（ｓｕｒｆａｃｅ ｐａｓｓｉｖａｔ ｉｏｎ ｌａｙｅｒ），该表面钝化层由一原子层沉积（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＡＬＤ）制程、一电浆增强原子层沉积（ｐｌａｓｍａ－ｅｎｈａｎｃｅｄＡＬＤ）制程或一电浆辅助原子层沉积（ｐｌａｓｍａ－ａｓｓｉｓｔｅｄ ＡＬＤ）制程）形成于该基板的该上表面上，该钝化层还可通过一原子层沉积制程和一电浆增强原子层沉积制...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏璋，徐文庆，何思桦，
申请(专利权)人：昆山中辰硅晶有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]
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