制造半导体光电元件的方法及其制造过程中回收基板的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造一半导体光电元件的方法及其制造过程中回收基板的方法。该方法首先制备一基板。接着，该方法形成一缓冲层于该基板上。然后，该方法形成一多层结构于该缓冲层上。该多层结构包含一作用区。该缓冲层辅助该多层结构的最底层的形成并且作为一剥离层。最后，通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该基板由该多层结构脱离，其中该多层结构作为该半导体光电元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于 一种制造一 半导体光电元件(semiconductor optoelectronic device)及于制造该半导体光电元件的过程中回收一基板的方法。
技术介绍
现今半导体发光元件(例如，发光二极体)的应用领域已甚为广泛，例如照明以 及遥控领域等，皆见到半导体发光元件被广泛地应用。请参阅图l。图l显示了传统的半导体发光元件l。半导体发光元件l包含一 基板IO、 一多层结构12、 一第一电极14及一第二电极16。需注意的是，为了使 半导体发光元件1能够运作，该第一电极14形成于该多层结构12的一最顶层上， 该第二电极16形成于部份蚀刻后的该多层结构12上。然而，由于该第一电极14及该第二电极16并不能设置在同一垂直方向上，所 以一个晶粒的半导体发光元件所需耗费的材料较多。若该基板10于制造半导体发 光元件1的过程中能够与多层结构12的一最底层(例如，氮化镓半导体材料层)脱 离，并且该第二电极16能形成于该最底层的表面上(例如，该第一电极14及该第 二电极16均设置在同一垂直方向上)，原本一个晶粒的半导体发光元件1大致上就 能制造出两个半导体发光元件1。另外，半导体发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造一半导体光电元件的方法，该方法包含下列步骤：　制备一基板；　形成一缓冲层于该基板上；　形成一多层结构于该缓冲层上，该多层结构包含一作用区并且该缓冲层辅助该多层结构的最底层的形成，该缓冲层还作为一剥离层；以及　 通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该基板由该多层结构脱离，其中该多层结构作为该半导体光电元件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏璋，徐文庆，何思桦，
申请(专利权)人：昆山中辰硅晶有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]