【技术实现步骤摘要】
技术区域本专利技术涉及发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等发光元件、太阳电池、光传感器等受光元件、或是晶体管、功率器件等电子器件所使用的氮化物半导体器件及其制造方法。采用粘合构造作为制造方法之一。
技术介绍
虽然氮化物半导体作为直接跃迁型半导体是有前途的半导体材料，但是大块体单晶的制造很困难。因此，现在普遍采用在蓝宝石、SiC等异质衬底上利用有机金属气相生长法(MOCVD)来生长GaN的异质外延生长技术。其中，已经证实，蓝宝石由于在外延生长工序的高温氨气氛中的稳定性，是用于生长高效率的氮化物半导体的发光元件的优选衬底。在采用蓝宝石衬底的情况下使用的方法是在蓝宝石衬底上在600℃左右的低温下形成作为过渡层(缓冲层)的AlGaN后，再在它上面生长氮化物半导体层。这样就能够提高氮化物半导体层的结晶性。具体地讲，在蓝宝石衬底上生长的氮化物半导体器件被用于亮度比以前高的蓝色LED、纯绿色LED及LD(激光二极管)，而它们则用于全色显示器件及示波器、图象扫描仪、光盘用的光源等对大容量信息进行存储的DVD等介质及通讯用的光源、或印刷设备等。甚至可望用于诸如场效应晶体管(FE...
【技术保护点】
一种氮化物半导体器件，在支持衬底上至少依次具有导电层、第１电极、具有发光层的氮化物半导体和第２电极，其特征是： 在上述导电层上具有第１电极、第１绝缘性保护膜和第１导电型氮化物半导体层。
【技术特征摘要】
JP 2002-1-28 19192/2002;JP 2002-6-17 175686/2002;J1.一种氮化物半导体器件，在支持衬底上至少依次具有导电层、第1电极、具有发光层的氮化物半导体和第2电极，其特征是在上述导电层上具有第1电极、第1绝缘性保护膜和第1导电型氮化物半导体层。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征是上述第1电极及第1绝缘性保护膜与第1导电型氮化物半导体层相接。3.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征是上述第1电极和第2电极为相向电极构造，在第1电极的上方不存在第2电极。4.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征是上述氮化物半导体具有第1导电型氮化物半导体层、发光层、第2导电型氮化物半导体层，最上层为第2导电型氮化物半导体层，该第2导电型氮化物半导体层设有凹凸部。5.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征是在上述氮化物半导体中，发光层以外的氮化物半导体层具有比发光带隙大的带隙。6.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征是上述支持衬底的线热膨胀系数为4～10(×10-6/K)。7.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征是上述支持衬底含有从Cu、Mo、W组成的群中选取的至少1种。8.根据权利要求7所述的氮化物半导体器件，其特征是上述支持衬底中的Cu含量为50％以下。9.根据权利要求7所述的氮化物半导体器件，其特征是上述支持衬底中的Mo含量为50％以上。10.根据权利要求7所述的氮化物半导体器件，其特征是上述支持衬底中的W含量为70％以上。11.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征是上述第1绝缘性保护膜在不与氮化物半导体相接的一侧形成从Al、Ag、Rh组成的群中选取的至少一种的金属层。12.根据权利要求11所述的氮化物半导体器件，其特征是上述金属层与导电层相接。13.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征是上述发光层是至少包含由AlaInbGa1-a-bN(0≤a≤1、0≤b≤1、a+b≤1)构成的阱层和由AlcIndGa1-c-dN(0≤c≤1、0≤d≤1、c+d≤1)构成的阻挡层的量子阱构造。14.根据权利要求13所述的氮化物半导体器件，其特征是上述发光层是至少包含由AlaInbGa1-a-bN(0＜a≤1、0＜b≤1、a+b＜1)构成的阱层和由AlcIndGa1-c-dN(0＜c≤1、0＜d≤1、c+d＜1)构成的阻挡层的量子阱构造，在发光层的主面这边做成第1导电型半导体层，在相反侧的主面上具有第2导电型半导体层，第2导电型氮化物半导体层为含有Al的氮化物半导体。15.根据权利要求14所述的氮化物半导体器件，其特征是上述第2导电型氮化物半导体层至少由2层组成，该2层，第2电极一侧为AleGa1-eN(0＜e＜0.05)，发光层一侧为AlfGa1-fN(0＜f＜0.1)，AleGa1-eN层具有比AlfGa1-fN层高的杂质浓度。16.根据权利要求14所述的氮化物半导体器件，其特征是上述第2导电型氮化物半导体层至少由2层组成，该2层，第2电极一侧为AleGa1-...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐野雅彦，野中满宏，镰田和美，山本正司，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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