半导体生产系统用的陶瓷加热器技术方案

提供了半导体制造设备用的陶瓷基座，其中通过提高基座晶片载面在其高温区域的平面度，提高了加热操作过程中晶片表面的等温质量，在半导体制造过程中是在晶片载面的高温区域处理晶片的。用于半导体制造设备的陶瓷基座１在其陶瓷基片２ａ和２ｂ的表面或内部有电阻加热元件３，其晶片载面在不加热（常温）时为拱形，拱形凹度为每３００ｍｍ为０．００１～０．７ｍｍ。陶瓷基座１还进一步在其陶瓷基片２ａ和２ｂ的表面或内部配置了等离子体电极。此外，优选陶瓷基片２ａ和２ｂ至少是一种选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅的陶瓷。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造设备中用于支持和加热晶片的陶瓷基座(susceptor)，在半导体加工过程中在设备中对晶片实施预定的处理程序。
技术介绍
迄今为止已经提出了各种用于半导体制造设备的陶瓷基座的结构。例如，日本已审查的专利申请公开H06-28258提出装备有陶瓷基座的半导体晶片加热设备，陶瓷基座内置电阻加热元件，被安装在反应室内部，装在基座表面上的柱状支撑构件远离晶片加热面，并在它和反应室之间形成不漏气的密封。同时为了降低制造成本，晶片正在向更大直径跨度—外径8英寸～12英寸—转化，连同晶片一起，支持晶片的陶瓷基座的直径变为300mm或更大。同时，要求被陶瓷基座加热的晶片表面的等温精度在±1.0％之内，更要求在±0.5％之内。假定晶片被插到陶瓷基座的位置上，晶片载面和晶片之间出现的间隙使得加热不可能均衡，作为对上述等温特性要求的响应，要求精确加工基座的晶片载面以提高其平面度。然而随着晶片向更大直径跨度的转化，已认识到上述对晶片表面等温质量的要求被证实是有问题的。专利参考文献1日本专利申请公开H06-28258。虽然如上述，迄今为止为了改善晶片的等温精度，一直在寻求提高基座晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于半导体制造设备的一种陶瓷基座，在其陶瓷基片的表面或内部装有电阻加热元件，这种用于半导体制造设备的陶瓷基座的特征在于，在不加热时，其拱形的晶片载面的凹度为０．００１～０．７ｍｍ／３００ｍｍ。

【技术特征摘要】
JP 2002-10-24 309387/20021.用于半导体制造设备的一种陶瓷基座，在其陶瓷基片的表面或内部装有电阻加热元件，这种用于半导体制造设备的陶瓷基座的特征在于，在不加热时，其拱形的晶片载面的凹度为0.001～0.7mm/300mm。2.权利要求1所述的用于半导体制造设备的陶...

【专利技术属性】
技术研发人员：加智义文，柊平启，仲田博彦，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]